ZHCSEV7I June 2011 – October 2019 LM5113
PRODUCTION DATA.
LM5113 器件專為同時驅動采用同步降壓或半橋配置的高側和低側增強模式氮化鎵 (GaN) FET 而設計。浮動高側驅動器能夠驅動工作電壓高達 100V 的增強模式 GaN FET。該器件采用自舉技術生成高側偏置電壓，并在內部將其鉗位在 5.2V，從而防止柵極電壓超出增強模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LM5113 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無論 VDD 電壓如何，最高都能夠承受 14V 的輸入電壓。LM5113 具有分柵輸出，可獨立靈活地調節開通和關斷強度。
LMG1205 是 LM5113 的增強版。LMG1205 沿用了 LM5113 的設計，包括啟動邏輯、電平轉換器和斷電 Vgs 鉗位增強，提供更加強大可靠的解決方案。
此外，LM5113 具有強勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態，從而防止開關操作期間發生意外導通。LM5113 的工作頻率最高可達數 MHz。LM5113 采用標準的 WSON-10 引腳封裝和 12 凸點 DSBGA 封裝。WSON-10 引腳封裝包含外露焊盤，有助于提升散熱性能。DSBGA 封裝具有緊湊型特點，并且封裝電感極低。
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標稱值） |
|---|---|---|
| LM5113 | WSON (10) | 4.00mm x 4.00mm |
| DSBGA (12) | 2.00mm × 2.00mm |