ZHCSEV7I June 2011 – October 2019 LM5113
PRODUCTION DATA.
LM5113 器件專為同時(shí)驅(qū)動(dòng)采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 而設(shè)計(jì)。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá) 100V 的增強(qiáng)模式 GaN FET。該器件采用自舉技術(shù)生成高側(cè)偏置電壓，并在內(nèi)部將其鉗位在 5.2V，從而防止柵極電壓超出增強(qiáng)模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LM5113 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無(wú)論 VDD 電壓如何，最高都能夠承受 14V 的輸入電壓。LM5113 具有分柵輸出，可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)開(kāi)通和關(guān)斷強(qiáng)度。
LMG1205 是 LM5113 的增強(qiáng)版。LMG1205 沿用了 LM5113 的設(shè)計(jì)，包括啟動(dòng)邏輯、電平轉(zhuǎn)換器和斷電 Vgs 鉗位增強(qiáng)，提供更加強(qiáng)大可靠的解決方案。
此外，LM5113 具有強(qiáng)勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態(tài)，從而防止開(kāi)關(guān)操作期間發(fā)生意外導(dǎo)通。LM5113 的工作頻率最高可達(dá)數(shù) MHz。LM5113 采用標(biāo)準(zhǔn)的 WSON-10 引腳封裝和 12 凸點(diǎn) DSBGA 封裝。WSON-10 引腳封裝包含外露焊盤(pán)，有助于提升散熱性能。DSBGA 封裝具有緊湊型特點(diǎn)，并且封裝電感極低。
| 器件型號(hào) | 封裝 | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| LM5113 | WSON (10) | 4.00mm x 4.00mm |
| DSBGA (12) | 2.00mm × 2.00mm |