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適用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半橋柵極驅動器

LM5113 不推薦用于新設計
該產品會持續為現有客戶提供。新設計應考慮替代產品。
open-in-new 比較替代產品
功能優于所比較器件的普遍直接替代產品
LM5113-Q1 正在供貨 適用于 GaNFET 的汽車類 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅動器 Automotive qualified
功能與比較器件相同，且具有相同引腳
LMG1205 正在供貨 適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半橋柵極驅動器 Same specifications, DSBGA package

產品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
DSBGA (YFX) 12 3.24 mm2 1.8 x 1.8 WSON (DPR) 10 16 mm2 4 x 4
  • 獨立的高側和低側
    TTL 邏輯輸入
  • 1.2A/5A 峰值拉/灌電流
  • 高側浮動偏置電壓軌
    工作電壓高達 100VDC
  • 內部自舉電源電壓鉗位
  • 分離輸出實現可調的
    開通/關斷強度
  • 0.6?/2.1? 下拉/上拉電阻
  • 快速傳播時間（典型值為 28ns）
  • 出色的傳播延遲匹配
    （典型值為 1.5ns）
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • 獨立的高側和低側
    TTL 邏輯輸入
  • 1.2A/5A 峰值拉/灌電流
  • 高側浮動偏置電壓軌
    工作電壓高達 100VDC
  • 內部自舉電源電壓鉗位
  • 分離輸出實現可調的
    開通/關斷強度
  • 0.6?/2.1? 下拉/上拉電阻
  • 快速傳播時間（典型值為 28ns）
  • 出色的傳播延遲匹配
    （典型值為 1.5ns）
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗

LM5113 器件專為同時驅動采用同步降壓或半橋配置的高側和低側增強模式氮化鎵 (GaN) FET 而設計。浮動高側驅動器能夠驅動工作電壓高達 100V 的增強模式 GaN FET。該器件采用自舉技術生成高側偏置電壓，并在內部將其鉗位在 5.2V，從而防止柵極電壓超出增強模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LM5113 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無論 VDD 電壓如何，最高都能夠承受 14V 的輸入電壓。LM5113 具有分柵輸出，可獨立靈活地調節開通和關斷強度。

LMG1205 是 LM5113 的增強版。LMG1205 沿用了 LM5113 的設計，包括啟動邏輯、電平轉換器和斷電 Vgs 鉗位增強，提供更加強大可靠的解決方案。

此外，LM5113 具有強勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態，從而防止開關操作期間發生意外導通。LM5113 的工作頻率最高可達數 MHz。LM5113 采用標準的 WSON-10 引腳封裝和 12 凸點 DSBGA 封裝。WSON-10 引腳封裝包含外露焊盤，有助于提升散熱性能。DSBGA 封裝具有緊湊型特點，并且封裝電感極低。

LM5113 器件專為同時驅動采用同步降壓或半橋配置的高側和低側增強模式氮化鎵 (GaN) FET 而設計。浮動高側驅動器能夠驅動工作電壓高達 100V 的增強模式 GaN FET。該器件采用自舉技術生成高側偏置電壓，并在內部將其鉗位在 5.2V，從而防止柵極電壓超出增強模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LM5113 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無論 VDD 電壓如何，最高都能夠承受 14V 的輸入電壓。LM5113 具有分柵輸出，可獨立靈活地調節開通和關斷強度。

LMG1205 是 LM5113 的增強版。LMG1205 沿用了 LM5113 的設計，包括啟動邏輯、電平轉換器和斷電 Vgs 鉗位增強，提供更加強大可靠的解決方案。

此外，LM5113 具有強勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態，從而防止開關操作期間發生意外導通。LM5113 的工作頻率最高可達數 MHz。LM5113 采用標準的 WSON-10 引腳封裝和 12 凸點 DSBGA 封裝。WSON-10 引腳封裝包含外露焊盤，有助于提升散熱性能。DSBGA 封裝具有緊湊型特點，并且封裝電感極低。
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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數據表 LM5113 80V 1.2A、5A 半橋 GaN 驅動器 數據表 (Rev. I) PDF | HTML 英語版 (Rev.I) PDF | HTML 2019年 12月 12日

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點