驅動器 IC 的總功率耗散可通過以下元件進行估算。

1. 方程式 11 所示為因靜態電流 I_GVDD 和 I_BST 而產生的靜態功率損耗 P_QC。
   方程式 11. P_QC = V_GVDD × I_GVDD + (V_GVDD – V_F) × I_BST = 12V × 0.43mA + (12V – 0.6V) × 0.15mA = 6.87mW
2. 方程式 12 所示為因高側漏電流 I_BSTS 而產生的電平轉換器損耗 P_IBSTS。
   方程式 12. P_IBSTS = V_BST × I_BSTS × D = 72V × 0.033mA × 0.95 = 2.26mW

   其中

   • D 是高側開關占空比
3. 方程式 13 所示為因 FET 柵極電荷 Q_G 而產生的動態損耗 P_QG1&2。
   方程式 13. ${\mathrm{P}}_{\mathrm{Q}\mathrm{G}1\&2}=2\times {\mathrm{V}}_{\mathrm{G}\mathrm{V}\mathrm{D}\mathrm{D}}\times {\mathrm{Q}}_{\mathrm{G}}\times {\mathrm{f}}_{\mathrm{S}\mathrm{W}}\times \frac{{\mathrm{R}}_{\mathrm{G}\mathrm{D}\_\mathrm{R}}}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{G}\mathrm{D}\_\mathrm{R}}+{\mathrm{R}}_{\mathrm{G}\mathrm{A}\mathrm{T}\mathrm{E}}+{\mathrm{R}}_{\mathrm{G}\mathrm{F}\mathrm{E}\mathrm{T}\_\mathrm{I}\mathrm{N}\mathrm{T}}}=\mathrm{ }2\times 12\mathrm{V}\times 17\mathrm{n}\mathrm{C}\times 50\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}\times \frac{5.25\mathrm{?}}{5.25\mathrm{?}+4.7\mathrm{?}+2.2\mathrm{?}}=8.8\mathrm{m}\mathrm{W}$

   其中

   • Q_G = FET 柵極總電荷
   • f_SW = 開關頻率
   • R_{GD_R} = 上拉和下拉電阻的平均值
   • R_GATE = 外部柵極驅動電阻
   • R_{GFET_INT} = 內部 FET 柵極電阻
4. 電平轉換器動態損耗 P_LS，受高側開關期間每個開關周期中所需的電平轉換器電荷影響。為簡化該示例，假設寄生電荷 Q_P 的值為 2.5nC，如方程式 14 所示。
   方程式 14. P_LS = V_BST × Q_P × f_SW = 72V × 2.5nC × 50kHz = 9mW

在此示例中，所有損耗總計 27mW，等于柵極驅動器的總損耗。對于帶自舉二極管的柵極驅動器，還應估算自舉二極管內的損耗。二極管正向導通損耗等于平均正向壓降與平均正向電流的乘積。

方程式 15 估算了器件在給定環境溫度下允許的最大功率損耗。

其中

• P_MAX = 柵極驅動器器件允許的最大功率損耗
• T_J = 結溫
• T_A = 環境溫度
• R_θJA = 結至環境熱阻

數據表的熱性能信息 表中總結了驅動器封裝的熱指標。有關熱性能信息表的詳細信息，請參閱德州儀器 (TI) 應用手冊半導體和 IC 封裝熱指標。