ZHCSQ65B February 2023 – September 2023 LM2005
PRODUCTION DATA
在大多數應用中，外部低側功率 MOSFET 的體二極管將 SH 節點鉗制到接地。某些時候，在外部低側 MOSFET 的體二極管鉗制此擺幅之前，電路板電容和電感會導致 SH 節點在接地電位以下瞬態擺動幾伏。只要不違反規范并且遵循本節中提到的條件，LM2005 中的 SH 引腳就能擺動到接地電位以下。
SH 的電勢必須始終低于 GH。將 GH 拉至規定條件以下，可能會激活寄生晶體管，從而導致 BST 電源的電流過大。這樣可能損壞器件。GL 和 GND 的關系也是如此。如有必要，可在 GH 和 SH 之間或 GL 和 GND 之間外接肖特基二極管，保護器件免受此類瞬變影響。為充分發揮作用，二極管應盡量靠近器件引腳。
為確保柵極驅動器器件正常運行，從 BST 到 SH 以及從 GVDD 到 GND 的低 ESR 旁路電容器至關重要。為充分減小串聯電感，電容器應位于器件引線處。GL 和 GH 的峰值電流可能非常大。旁路電容器的任何串聯電感都會在器件引線上引發電壓振鈴，為確?？煽窟\行，必須避免這種情況發生。