如果在電路板布局布線期間考慮不充分，就無法實現半橋柵極驅動器的卓越性能。強調了以下幾點：
- 應在 GVDD 和 GND 引腳之間以及 BST 和 SH 引腳之間靠近 IC 的位置連接低 ESR 和低 ESL 電容器，從而在外部 MOSFET 導通時支持 GVDD 和 BST 消耗的高峰值電流。
- 為防止頂部 MOSFET 漏極出現大的電壓瞬變，必須在 MOSFET 漏極和接地 (GND) 之間連接一個低 ESR 電解電容器和一個高質量陶瓷電容器。
- 為避免開關節點 (SH) 引腳上出現大型負瞬變，必須盡可能減小頂部 MOSFET 源極和底部 MOSFET（同步整流器）漏極之間的寄生電感。
- 接地注意事項：
- 設計接地連接的首要任務是將 MOSFET 柵極充放電的高峰值電流限制在盡量小的物理區域。這樣將會降低環路電感，并更大限度地減少 MOSFET 柵極端子上的噪聲問題。柵極驅動器必須盡可能靠近 MOSFET 放置。
- 第二個考慮因素是高電流路徑，其中包括自舉電容器、自舉二極管、本地接地基準旁路電容器和低側 MOSFET 體二極管。自舉電容器由以接地為基準的 GVDD 旁路電容器通過自舉二極管逐周期進行重新充電。重新充電發生在短時間隔內，需要高峰值電流。盡可能減小電路板上的環路長度和面積對于確保可靠運行至關重要。