ZHCSQ65B February 2023 – September 2023 LM2005
PRODUCTION DATA
高側和低側驅動器級均包含 UVLO 保護電路,該電路可監控電源電壓 (VGVDD) 和自舉電容器電壓 (VBST-SH)。在電源電壓足以導通外部 MOSFET 之前,UVLO 電路會抑制所有輸出,在電源電壓變化期間,內置 UVLO 遲滯可防止發生抖動。為器件的 GVDD 引腳施加電源電壓時,在 VGVDD 超過 UVLO 閾值(典型值為 8V)之前,兩個輸出都會保持低電平。無論 UVLO 條件如何,自舉電容器 (VBST–SH) 都僅禁用高側輸出 (GH)。
| 條件 (VBST-SH > VBSTR) | INH | INL | GH | GL |
|---|---|---|---|---|
| 器件啟動期間,VGVDD – GND < VGVDDR | H | L | L | L |
| L | H | L | L | |
| H | H | L | L | |
| L | L | L | L | |
| 器件啟動后,VGVDD – GND < VGVDDR – VDDHYS | H | L | L | L |
| L | H | L | L | |
| H | H | L | L | |
| L | L | L | L |
| 條件 (VGVDD > VGVDDR) | INH | INL | GH | GL |
|---|---|---|---|---|
| 器件啟動期間,VBST-SH < VBSTR | H | L | L | L |
| L | H | L | H | |
| H | H | L | H | |
| L | L | L | L | |
| 器件啟動后,VBST-SH < VBSTR – VBSTHYS | H | L | L | L |
| L | H | L | H | |
| H | H | L | H | |
| L | L | L | L |