為實(shí)現(xiàn)正常運(yùn)行，自舉電容器必須確保 VBST-SH 電壓高于 UVLO 閾值。使用方程式 1 來計(jì)算自舉電容器允許的最大壓降。
方程式 1.
其中
- VGVDD = 柵極驅(qū)動器 IC 的電源電壓
- VDH = 自舉二極管正向壓降
- VBSTL = BST 下降閾值 (VBSTR(max) - VBSTHYS)
然后，通過方程式 2 估算每個(gè)開關(guān)周期所需的總電荷。
方程式 2.
其中
- QG = 總 MOSFET 柵極電荷
- IBSTS = BST 至 VSS 漏電流
- DMax = 轉(zhuǎn)換器的最大占空比
- IBST = BST 靜態(tài)電流
接下來，使用方程式 3 估算最小自舉電容值。
方程式 3.
實(shí)際應(yīng)用中，CBoot 電容值必須大于計(jì)算值，才能確保在功率級可能因負(fù)載瞬態(tài)而發(fā)生脈沖跳躍的情況下正常使用。方程式 4 可用于根據(jù)特定應(yīng)用所需的最大自舉電壓紋波來估算建議的自舉電容。
方程式 4.
其中
- ?VBST_RIPPLE = 旁路電容器上的最大允許壓降（根據(jù)系統(tǒng)要求計(jì)算）
TI 建議預(yù)留足夠的裕度，并將自舉電容盡可能靠近 BST 和 SH 引腳放置。
方程式 5. CBOOT = 100nF
一般而言，本地 VGVDD 旁路電容必須比 CBOOT 的值大 10 倍，如方程式 6 所示。
方程式 6. CGVDD = 1μF
自舉電容器和偏置電容器必須是具有 X7R 電介質(zhì)的陶瓷型電容器。一旦器件上具有直流偏置電壓，考慮到電容容差，額定電壓必須是最大 VGVDD 的兩倍，以確保長期可靠性。