ZHCSQ65B February 2023 – September 2023 LM2005
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DSG|8
訂購(gòu)信息
5 引腳配置和功能
圖 5-1 D 封裝，8 引腳 SOIC（頂視圖）
圖 5-2 DSG 封裝，8 引腳 WSON（頂視圖）表 5-1 引腳功能
| 引腳 | 說(shuō)明 | |||
|---|---|---|---|---|
| 編號(hào)(1) | 名稱 | 類型(2) | ||
| 1 |
GVDD |
P | 柵極驅(qū)動(dòng)器正電源軌。使用盡可能靠近 IC 的低 ESR 和 ESL 電容器在本地進(jìn)行去耦（接地）。 | |
| 2 |
INH |
I | 高側(cè)控制輸入。INH 輸入與 TTL 和 CMOS 輸入閾值兼容。未使用的 INH 輸入必須接地，而不是保留開(kāi)路。 | |
| 3 | INL | I | 低側(cè)控制輸入。INL 輸入與 TTL 和 CMOS 輸入閾值兼容。未使用的 INL 輸入必須接地，而不是保留開(kāi)路。 | |
| 4 |
GND |
G | 接地。所有信號(hào)都以此接地為基準(zhǔn)。 | |
| 5 | GL | O | 低邊柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。連接到低側(cè) MOSFET 的柵極或外部柵極電阻的一端（使用時(shí)）。 | |
| 6 | SH | P | 高側(cè)源極連接。連接到自舉電容器的負(fù)端子和高側(cè) MOSFET 的源極。 | |
| 7 | GH | O | 高邊柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。連接到高側(cè) MOSFET 的柵極或外部柵極電阻的一端（使用時(shí)）。 | |
| 8 | BST | P | 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器正電源軌。將自舉電容器的正極端子連接到 BST，并將自舉電容器的負(fù)極端子連接到 SH。自舉電容器必須盡可能靠近 IC 放置。 | |
(1) 對(duì)于 8 引腳 WSON 封裝，TI 建議將封裝底部的外露焊盤焊接到 PCB 的接地層上，并且必須從封裝下方延伸出接地層以改善散熱。
(2) G = 接地，I = 輸入，O = 輸出，P = 電源