ZHCSN93A March 2023 – January 2025 DRV8952
PRODUCTION DATA
每個(gè) MOSFET 上的模擬電流限制電路通過(guò)移除柵極驅(qū)動(dòng)來(lái)限制通過(guò) MOSFET 的電流。如果該電流限制的持續(xù)時(shí)間超過(guò) tOCP，則會(huì)檢測(cè)到過(guò)流故障。
僅會(huì)禁用發(fā)生過(guò)流的半橋
nFAULT 被驅(qū)動(dòng)為低電平
電荷泵保持有效狀態(tài)
高側(cè)和低側(cè) MOSFET 上的過(guò)流情況；這意味著接地短路或電源短路將導(dǎo)致過(guò)流故障檢測(cè)。
消除過(guò)流條件后，恢復(fù)機(jī)制取決于 DDW 封裝的 OCPM 引腳設(shè)置。OCPM 引腳對(duì)閉鎖或自動(dòng)重試型恢復(fù)進(jìn)行編程。當(dāng) OCPM 引腳為邏輯低電平時(shí)，該器件具有閉鎖型恢復(fù)功能，這意味著消除 OCP 條件后，器件會(huì)在施加 nSLEEP 復(fù)位脈沖或下電上電后恢復(fù)正常運(yùn)行。
當(dāng) OCPM 引腳為邏輯高電平時(shí)，經(jīng)過(guò) tRETRY 時(shí)間且故障條件消失后，器件將自動(dòng)恢復(fù)正常運(yùn)行（驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行且釋放 nFAULT 引腳）。
PWP 封裝將僅支持閉鎖型恢復(fù)，在應(yīng)用 nSLEEP 復(fù)位脈沖或下電上電后將恢復(fù)正常運(yùn)行。