ZHCSKN1B November 2019 – May 2021 DRV8899-Q1
PRODUCTION DATA
對于在全橋內(nèi)連接的電機(jī)而言,電流路徑為通過一個半橋的高側(cè) FET 和另一個半橋的低側(cè) FET。導(dǎo)通損耗 (PCOND) 取決于電機(jī)的均方根電流 (IRMS) 以及高側(cè) (RDS(ONH)) 和低側(cè) (RDS(ONL)) 的導(dǎo)通電阻(如Equation4 所示)。
Equation5 中計算了Topic Link Label8.2.1 中顯示的典型應(yīng)用的導(dǎo)通損耗。
這種計算方式高度依賴于器件的溫度,因為溫度會顯著影響高側(cè)和低側(cè)的 FET 導(dǎo)通電阻。為了更準(zhǔn)確地計算該值,應(yīng)考慮器件溫度對 FET 導(dǎo)通電阻的影響。