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ZHCSJU0B August 2019 – January 2021 DRV8874-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

6.5 電氣特性

4.5V ≤ V_VM ≤ 37V，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C（除非另有說明）

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源（VCP、VM）
I_VMQ	VM 睡眠模式電流	V_VM = 13.5V、nSLEEP = 0V、T_J = 25°C		0.75	1	μA
I_VMQ	VM 睡眠模式電流	nSLEEP = 0V			5	μA
I_VM	VM 活動模式電流	V_VM = 13.5V，nSLEEP = 5V， EN/IN1 = PH/IN2 = 0V		3	7	mA
t_WAKE	開通時間	V_VM > V_UVLO、nSLEEP = 5V 至活動模式			1	ms
t_SLEEP	關斷時間	nSLEEP = 0V 進入睡眠模式			1	ms
V_VCP	電荷泵穩壓器電壓	VCP 相對于 VM，V_VM = 13.5V		5		V
f_VCP	電荷泵開關頻率			400		kHz
邏輯電平輸入（EN/IN1、PH/IN2、nSLEEP）
V_IL	輸入邏輯低電壓	V_VM < 5V	0		0.7	V
V_IL	輸入邏輯低電壓	V_VM ≥ 5V	0		0.8	V
V_IH	輸入邏輯高電壓		1.5		5.5	V
V_HYS	輸入滯后			200		mV
V_HYS	輸入滯后	nSLEEP		50		mV
I_IL	輸入邏輯低電平電流	V_I = 0V	-5		5	μA
I_IH	輸入邏輯高電流	V_I = 5V		50	75	μA
R_PD	輸入下拉電阻	至 GND		100		kΩ
三電平輸入 (PMODE)
V_TIL	三電平輸入邏輯低電壓		0		0.65	V
V_TIZ	三電平輸入高阻抗電壓	4.5 V < V_VM < 5.5 V	0.9	1.0	1.1	V
V_TIZ	三電平輸入高阻抗電壓	5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	0.9	1.1	1.2	V
V_TIH	三電平輸入邏輯高電壓		1.5		5.5	V
I_TIL	三電平輸入邏輯低電流	V_I = 0V	–50	-32		μA
I_TIZ	三電平輸入高阻抗電流	V_I = 1.1V	-10		10	μA
I_TIH	三電平輸入邏輯高電流	V_I = 5V		113	150	μA
R_TPD	三電平下拉電阻	至 GND		44		kΩ
R_TPU	三電平上拉電阻	至內部 5V		156		kΩ
四電平輸入 (IMODE)
V_QI2	四電平輸入電平 1	電壓至所設置的四電平 1	0		0.45	V
R_QI2	四電平輸入電平 2	電阻至 GND 至所設置的四電平 2	18.6	20	21.4	kΩ
R_QI3	四電平輸入電平 3	電阻至 GND 至所設置的四電平 3	57.6	62	66.4	kΩ
V_QI4	四電平輸入電平 4	電壓至所設置的四電平 4	2.5		5.5	V
R_QPD	四電平下拉電阻	至 GND		136		kΩ
R_QPU	四電平上拉電阻	至內部 5V		68		kΩ
開漏輸出 (nFAULT)
V_OL	輸出邏輯低電壓	I_OD = 5mA			0.3	V
I_OZ	輸出邏輯高電流	V_OD = 5V	-2		2	μA
驅動器輸出（OUT1、OUT2）
R_{DS(on)_HS}	高側 MOSFET 導通電阻	V_VM = 13.5V、I_O = 2A、T_J = 25°C		100	120	mΩ
R_{DS(on)_HS}	高側 MOSFET 導通電阻	V_VM = 13.5V、I_O = 2A、T_J = 150°C		160	190	mΩ
R_{DS(on)_LS}	低側 MOSFET 導通電阻	V_VM = 13.5V、I_O = -2A、T_J = 25°C		100	120	mΩ
R_{DS(on)_LS}	低側 MOSFET 導通電阻	V_VM = 13.5V、I_O = -2A、T_J = 150°C		160	190	mΩ
V_SD	體二極管正向電壓	I_SD = 1A		0.9		V
t_RISE	輸出上升時間	V_VM = 13.5V，OUTx 上升 10% 至 90%		500		ns
t_FALL	輸出下降時間	V_VM = 13.5V，OUTx 下降 90% 至 10%		500		ns
t_PD	輸入至輸出傳播延遲	EN/IN1，PH/IN2 至 OUTx，從 OUTx 至 GND 為 200Ω		1.75		μs
t_DEAD	輸出死區時間	體二極管導通		750		ns
電流檢測和調節（IPROPI、VREF）
A_IPROPI	電流鏡比例因數			450		μA/A
A_ERR⁽¹⁾	電流鏡比例誤差	I_OUT < 0.4A 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	–30		30	mA
		0.4A ≤ I_OUT < 1A 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	–7.5		7.5	%
		1A ≤ I_OUT < 2A 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	-6		6
		2A ≤ I_OUT ≤ 4A 5.5V ≤ V_VM ≤ 37V	-5.5		5.5
t_OFF	電流調節關斷時間			25		μs
t_DELAY	電流感測延遲時間			6		μs
t_DEG	電流調節抗尖峰脈沖時間			1.7		μs
t_BLK	電流調節消隱時間			2.7		μs
保護電路
V_UVLO	電源欠壓鎖定 (UVLO)	V_VM 上升	4.3	4.45	4.6	V
V_UVLO	電源欠壓鎖定 (UVLO)	V_VM 下降	4.2	4.35	4.5	V
V_{UVLO_HYS}	電源 UVLO 遲滯			100		mV
t_UVLO	電源欠壓抗尖峰脈沖時間			10		μs
V_CPUV	電荷泵欠壓鎖定	VCP 相對于 VM，V_VCP 下降		2.25		V
I_OCP	過流保護跳變點		6	10		A
t_OCP	過流保護抗尖峰脈沖時間			3		μs
t_RETRY	過流保護重試時間			2		ms
T_TSD	熱關斷溫度		160	175	190	°C
T_HYS	熱關斷遲滯			20		°C

(1) 在低電流下，IPROPI 輸出相對于通過低側功率 MOSFET 的 I_OUT 電流具有固定的偏移量誤差。

圖 6-1 時序參數圖

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.5 電氣特性