ZHCSJU0B August 2019 – January 2021 DRV8874-Q1
PRODUCTION DATA
此器件的輸出電流和功率耗散能力在很大程度上取決于 PCB 設(shè)計(jì)和外部系統(tǒng)狀況。本節(jié)提供了一些用于計(jì)算這些值的指導(dǎo)信息。
此器件的總功率耗散由三個(gè)主要部分組成。這三個(gè)組成部分是靜態(tài)電源電流損耗、功率 MOSFET 開關(guān)損耗和功率 MOSFET RDS(on)(導(dǎo)通)損耗。雖然其他因素可能會(huì)造成額外的功率損耗,但與這三個(gè)主要因素相比,其他因素通常并不重要。
可以根據(jù)標(biāo)稱電源電壓 (VM) 和 IVM 活動(dòng)模式電流規(guī)格來計(jì)算 PVM。
可以根據(jù)標(biāo)稱電源電壓 (VM)、平均輸出電流 (IRMS)、開關(guān)頻率 (fPWM) 以及器件輸出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 時(shí)間規(guī)格來計(jì)算 PSW。
可以根據(jù)器件 RDS(on) 和平均輸出電流 (IRMS) 來計(jì)算 PRDS。
需要注意的是,RDS(ON) 與器件的溫度密切相關(guān)??梢栽凇暗湫吞匦浴鼻€中找到一條顯示了標(biāo)稱 RDS(on) 和溫度的曲線。假設(shè)器件溫度為 85°C,根據(jù)標(biāo)稱溫度數(shù)據(jù),預(yù)計(jì) RDS(on) 會(huì)增大約 1.25 倍。
通過將功率耗散的各個(gè)組成部分相加,可以確認(rèn)預(yù)計(jì)的功率耗散和器件結(jié)溫處于設(shè)計(jì)目標(biāo)內(nèi)。
可以使用 PTOT、器件環(huán)境溫度 (TA) 和封裝熱阻 (RθJA) 來計(jì)算器件結(jié)溫。RθJA 的值在很大程度上取決于 PCB 設(shè)計(jì)以及器件周圍的銅散熱器。
應(yīng)確保器件結(jié)溫處于指定的工作范圍內(nèi)。也可以通過其他方法根據(jù)可用的測量結(jié)果來確認(rèn)器件結(jié)溫。
可以在Topic Link Label8.2.1.2.3和Topic Link Label11.1.1中找到有關(guān)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電流額定值和功率耗散的其他信息。