ZHCSJU0B August 2019 – January 2021 DRV8874-Q1
PRODUCTION DATA
7.3.3.1 電流感測
IPROPI 引腳會輸出與流經 H 橋中的低側功率 MOSFET 的電流成正比并經過 AIPROPI 調節的模擬電流。可以使用Equation1 計算出 IPROPI 輸出電流。只有當電流在低側 MOSFET 中從漏極流向源極時，Equation1 中的 ILSx 才有效。如果電流從源極流向漏極，則該通道的 ILSx 值為零。例如，如果電橋處于制動、慢速衰減狀態，則 IPROPI 外的電流僅與其中一個低側 MOSFET 中的電流成正比。
此電流由內部電流鏡架構測得，無需使用外部功率感測電阻器。此外，電流鏡架構還允許在驅動和制動低側慢速衰減期間感測電機繞組電流，從而在典型雙向有刷直流電機應用中持續監測電流。在滑行模式下，電流是續流電流，無法被感測到，原因是電流從源極流向漏極。但是，可以在驅動或慢速衰減模式下短暫重新啟用驅動器，并在再次切換回滑行模式之前測量此電流，從而對電流進行采樣。當處于獨立的 PWM 模式且兩個低側 MOSFET 同時傳導電流時，IPROPI 輸出將是這兩個低側 MOSFET 電流的總和。
應將 IPROPI 引腳連接到外部電阻器 (RIPROPI) 以接地，從而利用 IIPROPI 模擬電流輸出在 IPROPI 引腳上產生一個成比例電壓 (VIPROPI)。這樣即可使用標準模數轉換器 (ADC) 將負載電流作為 RIPROPI 電阻器兩端的壓降進行測量。可以根據應用中的預期負載電流來調節 RIPROPI 電阻器的大小，以利用控制器 ADC 的整個量程。此外，DRV887x-Q1 器件還采用了一個內部 IPROPI 電壓鉗位電路，可相對于 VREF 引腳上的 VVREF 限制 VIPROPI，并在發生輸出過流或意外高電流事件時保護外部 ADC。
可以使用Equation2 計算對應于輸出電流的 IPROPI 電壓。
圖 7-2 集成電流感測IPROPI 輸出帶寬受 DRV887x-Q1 內部電流感測電路感測延遲時間 (tDELAY) 的限制。此時間是指從低側 MOSFET 啟用命令（來自 PH/EN 引腳的 INx）到 IPROPI 輸出準備就緒這兩個時間點之間的延遲。在 H 橋 PWM 信號中，如果器件在驅動和慢速衰減（制動）之間交替切換，則感測電流的低側 MOSFET 會持續導通，但感測延遲時間對 IPROPI 輸出不會產生任何影響。如果 INx 或 PH/EN 引腳上的命令禁用低側 MOSFET（根據Topic Link Label7.3.2中的邏輯表），則 IPROPI 輸出將與輸入邏輯信號一同禁用。雖然低側 MOSFET 在根據器件壓擺率（在“電氣特性”表中以 tRISE 時間表示）禁用時仍可能傳導電流，但 IPROPI 并不表示此關斷時間內低側 MOSFET 中的電流。