ZHCSKQ7B May 2020 – May 2024 DRV8705-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
外部 MOSFET 的高側柵極驅動電壓是使用倍增電荷泵產生的,而該電荷泵采用 PVDD 電壓電源輸入端運行。該電荷泵使高側柵極驅動器能夠在寬輸入電源電壓范圍內相對于源極電壓適當地偏置外部 N 溝道 MOSFET。電荷泵輸出經過調節可保持相對于 VPVDD 的固定電壓,并支持 15 mA 的平均輸出電流能力。電荷泵會受到持續監控以確定是否發生欠壓事件,從而防止 MOSFET 出現驅動不足的情況。
電荷泵會被調節到 PVDD 引腳電壓,因此該器件不支持 PVDD 和 DRAIN 引腳之間過大的電壓差,這些電壓差應該受到限制。
電荷泵需要在 PVDD 和 VCP 引腳之間放置一個低 ESR、1 μF、16V 陶瓷電容器(推薦使用 X5R 或 X7R)作為儲能電容器。此外,還需要在 CPH 和 CPL 引腳之間放置一個低 ESR、100 nF、PVDD 額定的陶瓷電容器(推薦使用 X5R 或 X7R)作為飛跨電容器。
圖 6-9 電荷泵架構