ZHCSKQ7B May 2020 – May 2024 DRV8705-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
柵極驅動電流強度 IDRIVE 的選擇依據包括：外部 MOSFET 的柵漏電荷，以及開關節點的目標上升和下降時間。對于給定的 MOSFET，如果選擇的 IDRIVE 過低，則 MOSFET 可能無法在配置的 tDRIVE 時間內完全導通或關斷，并且可以斷定出現柵極故障。此外，較長的上升和下降時間將導致外部功率 MOSFET 中出現更高的開關功率損耗。建議使用所需的外部 MOSFET 和負載在系統中驗證這些值，以確定適合的設置。
高側和低側外部 MOSFET 的 IDRIVEP 和 IDRIVEN 均可在 SPI 器件型號上獨立調整。在硬件接口器件型號上，同時在 IDRIVE 引腳上選擇拉電流和灌電流設置。
對于具有已知柵漏電荷 (QGD)、所需上升時間 (trise) 和所需下降時間 (tfall) 的 MOSFET，可使用公式 3 和公式 4 分別計算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的近似值。
以輸入設計參數為例，我們可以計算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的近似值。
根據這些計算結果，為 IDRIVEP 選擇了值 6 mA。
根據這些計算結果，為 IDRIVEN 選擇了值 16mA。