ZHCSLW7B August 2022 – October 2023 DRV8462
PRODUCTION DATA
對于在全橋內連接的電機而言,電流路徑為通過一個半橋的高側 FET 和另一個半橋的低側 FET。導通損耗 (PCOND) 取決于電機的均方根電流 (IRMS) 以及高側 (RDS(ONH)) 和低側 (RDS(ONL)) 的導通電阻(如方程式 17 所示)。
方程式 18 中計算了表 8-1 中顯示的典型應用的導通損耗。
這種功率計算在很大程度上取決于器件溫度,而器件溫度對 FET的高側和低側的導通電阻有很大影響。為了更準確地計算該值,應考慮器件溫度對 FET 導通電阻的影響。