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ZHCSOJ8C November 2022 – May 2024 DRV8410

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。

機械數據 (封裝 | 引腳)

PWP|16
RTE|16

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

RTE|16
- QFND525B

訂購信息

6.5 電氣特性

1.65V ≤ V_VM ≤ 11V，–40°C ≤ T_J≤ 150°C（除非另有說明）。典型值是在 T_J = 27 °C 且 V_VM = 5 V 時。

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源 (VM)
I_VMQ	VM 睡眠模式電流	nSLEEP = 0V，V_VM = 5V，T_J = 27°C		4	30	nA
I_VM	VM 活動模式電流	xIN1 = 3.3V，xIN2 = 0V，V_VM = 5V		1.3	2.5	mA
t_WAKE	開通時間	睡眠模式到工作模式延遲			100	μs
t_SLEEP	關斷時間	工作模式到睡眠模式延遲		5		μs
邏輯電平輸入（nSLEEP、AIN1、AIN2、BIN1、BIN2）
V_IL	輸入邏輯低電平電壓		0		0.4	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓		1.45		5.5	V
V_{HYS_nSLEEP}	nSLEEP 輸入遲滯		100			mV
V_{HYS_logic}	邏輯輸入遲滯（nSLEEP 除外）		50			mV
I_IL	輸入邏輯低電平電流	V_xINx = 0V	-1		1	μA
I_IH,nSLEEP	輸入邏輯高電流	V_nSLEEP = 5V			14	μA
I_IH	輸入邏輯高電流	V_xINx = 5V	20		70	μA
R_PD,nSLEEP	輸入下拉電阻			500		kΩ
R_PD	輸入下拉電阻			100		kΩ
t_DEGLITCH	輸入邏輯抗尖峰			50		ns
開漏輸出 (nFAULT)
V_OL	輸出邏輯低電壓	I_OD = 5mA			0.3	V
I_OZ	輸出邏輯高電流	V_OD = 5V	-1		1	μA
驅動器輸出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
R_{HS_DS(ON)}	高側 MOSFET 導通電阻	I_OUTx = 0.2A		400		mΩ
R_{LS_DS(ON)}	低側 MOSFET 導通電阻	I_OUTx = -0.2A		400		mΩ
V_SD	體二極管正向電壓	I_OUTx = -0.5A		1		V
t_RISE	輸出上升時間	V_OUTx 上升，從 V_VM 的 10% 上升到 90%，V_VM = 5V		100		ns
t_FALL	輸出下降時間	V_OUTx 下降，從 V_VM 的 90% 下降到 10%，V_VM = 5V		50		ns
t_PD	輸入至輸出傳播延遲	輸入超過 0.8V 達到 V_OUTx = 0.1×V_VM，I_OUTx = 1A		600		ns
t_DEAD	輸出死區時間			400		ns
電流調節（AISEN、BISEN）
V_TRIP	xISEN 跳變電壓		180	200	230	mV
t_OFF	電流調節關斷時間			20		μs
t_BLANK	電流調節消隱時間			1.8		μs
t_DEG	電流調節抗尖峰脈沖時間			1		μs
保護電路
V_UVLO	電源欠壓鎖定 (UVLO)	電源上升			1.6	V
V_UVLO	電源欠壓鎖定 (UVLO)	電源下降	1.3			V
V_{UVLO_HYS}	電源 UVLO 遲滯	上升至下降閾值		100		mV
t_UVLO	電源欠壓抗尖峰脈沖時間	V_VM 下降至 OUTx 已禁用		10		μs
I_OCP	過流保護跳變點		2.5			A
V_{OCP_ISEN}	ISEN 引腳上的過流保護跳變點			0.6		V
t_OCP	過流保護抗尖峰脈沖時間			4.2		μs
t_RETRY	過流保護重試時間			1.6		ms
T_TSD	熱關斷溫度		153		193	°C
T_HYS	熱關斷遲滯			18		°C