ZHCSOJ8C November 2022 – May 2024 DRV8410
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
如果內(nèi)核溫度超過(guò)安全限值,則會(huì)禁用 H 橋中的所有 FET 并將 nFAULT 引腳置為低電平。一旦內(nèi)核溫度下降到安全水平,就將自動(dòng)恢復(fù)運(yùn)行。
如果該器件有任何進(jìn)入熱關(guān)斷 (TSD) 狀態(tài)的傾向,則表明功耗過(guò)高、散熱不足或環(huán)境溫度超出了建議運(yùn)行條件。