ZHCSQE7 august 2023 DRV8213
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源，DSG (VM) | ||||||
| IVMQ | VM 睡眠模式電流 | IN1 = IN2 = 0V，等待 tAUTOSLEEP 后，VVM = 5V，TJ = 27°C | 20 | 60 | nA | |
| IVM | VM 活動模式電流 | IN1 = 3.3V、IN2 = 0V | 1.2 | 1.9 | mA | |
| tWAKE | 開通時間 | 睡眠模式到工作模式延遲 | 250 | μs | ||
| tAUTOSLEEP | 自動睡眠關閉時間 | 工作模式到自動睡眠模式延遲 | 0.7 | 1 | 1.3 | ms |
| fVCP | 電荷泵開關頻率 | 6000 | kHz | |||
| 電源，RTE（VM、VCC） | ||||||
| IVMQ | VM 睡眠模式電流 | IN1 = IN2 = 0V，等待 tAUTOSLEEP 后，VVM = 5V、VVCC = 3.3V、TJ = 27°C | 10 | 20 | nA | |
| IVM | VM 活動模式電流 | IN1 = 3.3V、IN2 = 0V、VVM = 5V、VVCC = 3.3V | 0.83 | 1 | mA | |
| IVCCQ | VCC 睡眠模式電流 | IN1 = IN2 = 0V，等待 tAUTOSLEEP 后，VVM = 5V、VVCC = 3.3V、TJ = 27°C | 6 | 12 | nA | |
| IVCC | VCC 運行模式電流 | IN1 = 3.3V、IN2 = 0V、VVM = 5V、VVCC = 3.3V | 0.46 | 0.6 | mA | |
| tWAKE | 開通時間 | 睡眠模式到工作模式延遲 | 250 | μs | ||
| tAUTOSLEEP | 自動睡眠關閉時間 | 工作模式到自動睡眠模式延遲 | 0.75 | 0.9 | 1.05 | ms |
| 邏輯電平輸入（IN1、IN2） | ||||||
| VIL | 輸入邏輯低電平電壓 | 0 | 0.4 | V | ||
| VIH | 輸入邏輯高電平電壓 | 1.45 | 5.5 | V | ||
| VHYS | 輸入滯后 | 40 | mV | |||
| IIL | 輸入邏輯低電平電流 | VI = 0V | -1 | 1 | μA | |
| IIH | 輸入邏輯高電流 | VINx = 5V | 15 | 35 | μA | |
| VnSTALL = VCC | 40 | nA | ||||
| RPD | 輸入下拉電阻，INx | 200 | kΩ | |||
| tDEGLITCH | 輸入邏輯抗尖峰，INx | 50 | ns | |||
| 三電平輸入（IMODE、SMODE） | ||||||
| VTHYS | 三電平輸入邏輯低電壓 | 0 | 0.4 | V | ||
| ITIL | 三電平輸入高阻抗電壓 | 0.75 | 1.05 | V | ||
| ITIZ | 三電平輸入邏輯高電壓 | 1.45 | 5.5 | V | ||
| RTPD | 三電平下拉電阻 | 至 GND | 83 | kΩ | ||
| ITPU | 三電平上拉電流 | 接至 VCC | 10.5 | μA | ||
| 開漏輸出（nFAULT、nSTALL） | ||||||
| VOL | 輸出邏輯低電壓 | IOD = 5mA | 0.4 | V | ||
| IOZ | 輸出邏輯高電流 | VOD = VCC | -1 | 1 | μA | |
| 驅(qū)動器輸出（OUTx） | ||||||
| RDS(ON)_HS | 高側(cè) MOSFET 導通電阻 | IOUTx = 1A | 120 | 280 | mΩ | |
| RDS(ON)_LS | 低側(cè) MOSFET 導通電阻、350mA 至 2A | GAINSEL = 低電平 | 120 | 260 | mΩ | |
| RDS(ON)_LS | 低側(cè) MOSFET 導通電阻、60mA 至 350mA | GAINSEL = 高阻態(tài) | 460 | 900 | mΩ | |
| RDS(ON)_LS | 低側(cè) MOSFET 導通電阻、10mA 至 60mA | GAINSEL = 高電平 | 2100 | 4000 | mΩ | |
| VSD | 體二極管正向電壓 | IOUTx = -1A | 0.9 | V | ||
| tRISE | 輸出上升時間 | VOUTx 從 VVM 的 10% 上升至 90% | 70 | ns | ||
| tFALL | 輸出下降時間 | VOUTx 從 VVM 的 90% 下降至 10% | 40 | ns | ||
| tPDR | 輸入高電平至輸出高電平傳播延遲 | 輸入至 OUTx | 450 | ns | ||
| tPDF | 輸入低電平至輸出低電平傳播延遲 | 輸入至 OUTx | 450 | ns | ||
| tDEAD | 輸出死區(qū)時間 | 500 | ns | |||
| 電流檢測和調(diào)節(jié)（IPROPI、VREF） | ||||||
| VREF_INT | 內(nèi)部基準電壓 | 對于 RTE 封裝和 DSG 封裝，SMODE = 開路 | 470 | 510 | 550 | mV |
| AIPROPI_H | 電流比例因子 | GAINSEL = 低電平 | 205 | μA/A | ||
| AIPROPI_M | 電流比例因子 | GAINSEL = 高阻態(tài) | 1050 | μA/A | ||
| AIPROPI_L | 電流比例因子 | GAINSEL = 高電平 | 4900 | μA/A | ||
| AERR_H | 電流鏡總誤差、350mA 至 2A | GAINSEL = 低電平，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V | -6 | 6 | % | |
| AERR_H | 電流鏡總誤差、350mA 至 2A | GAINSEL = 低電平，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V | -6 | 6 | % | |
| AERR_M | 電流鏡總誤差、60mA 至 350mA | GAINSEL = 高阻態(tài)，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V | -6 | 6 | % | |
| GAINSEL = 高阻態(tài)，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V | -6 | 6 | % | |||
| AERR_L | 電流鏡總誤差、10mA 至 60mA | GAINSEL = 高電平，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V | -6 | 6 | % | |
| GAINSEL = 高電平，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V | -6 | 6 | % | |||
| tOFF | 電流調(diào)節(jié)關斷時間 | 20 | μs | |||
| tBLANK | 電流調(diào)節(jié)消隱時間 | 1.8 | μs | |||
| tDELAY | 電流檢測延遲時間 | 1.5 | μs | |||
| tDEG | 電流調(diào)節(jié)和失速檢測抗尖峰脈沖時間 | 2 | μs | |||
| 硬件失速檢測 (TINRUSH) | ||||||
| VTINRUSH_trip | 用于設置 tINRUSH 時序的閾值電壓 | 0.97 | 1 | 1.03 | V | |
| ITINRUSH | 從 TINRUSH 引腳流出的電流 | 輸入轉(zhuǎn)換至 IN1=IN2=0、VTINRUSH < VTINRUSH_trip 之外的狀態(tài) | 8 | 10 | 12 | μA |
| tdischarge | TINRUSH 電容器放電時間 | 0.8nF ≤ CTINRUSH ≤ 0.8μF | 100 | μs | ||
| tSTALL_RETRY | IN1/IN2 = 0/0 時從失速情況恢復的持續(xù)時間（重試類型） | 350 | 900 | μs | ||
| 保護電路 | ||||||
| VUVLO_VM | VM 電源欠壓鎖定 (UVLO)、DSG | 電源上升 | 1.65 | V | ||
| 電源下降 | 1.30 | V | ||||
| VUVLO_VCC | VCC 電源欠壓鎖定 (UVLO)、RTE | 電源上升 | 1.65 | V | ||
| 電源下降 | 1.30 | V | ||||
| VUVLO_HYS | 電源 UVLO 遲滯 | 上升至下降閾值 | 150 | mV | ||
| tUVLO | 電源欠壓抗尖峰脈沖時間 | VVM 下降 (DSG) 或 VVCC 下降 (RTE) 至 OUTx 禁用 | 10 | μs | ||
| IOCP | 過流保護跳閘點、350mA 至 2A | 4 | A | |||
| IOCP | 過流保護跳閘點、60mA 至 350mA | 0.8 | A | |||
| IOCP | 過流保護跳閘點、10mA 至 60mA | 0.16 | A | |||
| tOCP | 過流保護抗尖峰脈沖時間 | 4.2 | μs | |||
| tRETRY | 故障重試時間 | 1.5 | ms | |||
| TTSD | 熱關斷溫度 | 165 | 175 | 185 | °C | |
| THYS | 熱關斷遲滯 | 17 | °C | |||