ZHCSQE7 august 2023 DRV8213
PRODUCTION DATA
DRV8213 輸出包含四個用于驅(qū)動高電流的 N 溝道 MOSFET,通過表 8-2 所列兩個 PWM 輸入 IN1 和 IN2 進(jìn)行控制。
| IN1 | IN2 | OUT1 | OUT2 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 0 | 0 | 高阻態(tài) | 高阻態(tài) | 滑行;H 橋禁用至高阻態(tài)(經(jīng)過 tAUTOSLEEP 之后進(jìn)入睡眠模式) |
| 0 | 1 | L | H | 反向(電流 OUT2 → OUT1) |
| 1 | 0 | H | L | 正向(電流 OUT1 → OUT2) |
| 1 | 1 | L | L | 制動;低側(cè)慢速衰減 |
輸入可設(shè)置為靜態(tài)電壓以實現(xiàn) 100% 占空比驅(qū)動,也可設(shè)置為脈寬調(diào)制 (PWM) 以實現(xiàn)可變電機(jī)轉(zhuǎn)速。使用 PWM 時,驅(qū)動和制動之間通常能很好地切換。例如,要以最大 RPM 的 50% 正向驅(qū)動電機(jī),在驅(qū)動周期內(nèi),IN1 = 1 且 IN2 = 0;而在其他時間內(nèi),IN1 = 1 且 IN2 = 1。此外,還提供能實現(xiàn)快速電流衰減 的滑行模式(IN1 = 0,IN2 = 0)。圖 8-3 顯示了電機(jī)電流流過 H 橋的示意圖??梢栽趹?yīng)用 VM 或 VCC 之前為輸入引腳供電。
當(dāng)輸出從驅(qū)動高電平變?yōu)轵?qū)動低電平,或從驅(qū)動低電平變?yōu)轵?qū)動高電平時,會自動插入死區(qū)時間以防止擊穿。tDEAD 時間是輸出為高阻時的中間時間。如果在 tDEAD 期間測量輸出引腳,則電壓取決于電流方向。如果電流離開管腳,則電壓為低于地電平的二極管壓降。如果電流進(jìn)入引腳,則電壓為高于 VM 的二極管壓降。該二極管是高側(cè)或低側(cè) FET 的體二極管。
傳播延遲時間 (tPD) 是輸入邊沿與輸出變化之間的時間。該時間考慮了輸入抗尖峰脈沖時間和其他內(nèi)部邏輯傳播延遲。輸入抗尖峰脈沖時間可防止輸入引腳上的噪聲影響輸出狀態(tài)。附加的輸出壓擺延遲時序考慮了 FET 導(dǎo)通或關(guān)斷時間(tRISE 和 tFALL)。