ZHCSQE7 august 2023 DRV8213
PRODUCTION DATA
DRV8213 器件使用固定關(guān)斷時(shí)間電流斬波方案集成了電流調(diào)節(jié)功能,如圖 8-6 所示。這樣,器件能夠在發(fā)生電機(jī)失速、高扭矩或其他高電流負(fù)載事件的情況下限制輸出電流,而無需外部控制器。
可通過 VREF 電壓 (VVREF) 與 IPROPI 輸出電阻器 (RIPROPI) 設(shè)置電流斬波閾值 (ITRIP)。可通過將外部 RIPROPI 電阻器和 VVREF 之間的壓降與內(nèi)部比較器進(jìn)行比較來執(zhí)行此操作。
VVREF 的電壓須至少比 VVM 的電壓低 1.25V。VVREF 的最大建議值為 3.3V。
如前所述,DSG 封裝中 VVREF 的內(nèi)部電壓固定為 510mV。RTE 封裝中,在 SMODE 保持開路時(shí),VVREF 的內(nèi)部電壓固定為 510mV。
固定關(guān)斷時(shí)間電流斬波方案支持高達(dá) 100% 占空比電流調(diào)節(jié),因?yàn)樵?tOFF 期間結(jié)束后 H 橋會(huì)自動(dòng)啟用,而且不需要 INx 引腳上的新控制輸入邊沿來復(fù)位輸出。當(dāng)電機(jī)電流超過 ITRIP 閾值時(shí),輸出將進(jìn)入具有固定關(guān)斷時(shí)間 (tOFF) 的電流斬波模式。在 tOFF 期間,當(dāng) IOUT 超過 ITRIP 之后,H 橋會(huì)在 tOFF 持續(xù)時(shí)間內(nèi)進(jìn)入制動(dòng)/低側(cè)慢速衰減狀態(tài)(兩個(gè)低側(cè) MOSFET 都導(dǎo)通)。在 tOFF 之后,如果 IOUT 小于 ITRIP,將根據(jù)控制輸入來重新啟用輸出。如果 IOUT 仍然大于 ITRIP,H 橋?qū)⒃?tBLANK 驅(qū)動(dòng)時(shí)間后進(jìn)入另一個(gè)制動(dòng)/低側(cè)慢速衰減期,持續(xù)時(shí)間為 tOFF。如果 INx 控制引腳的狀態(tài)在 tOFF 時(shí)間內(nèi)發(fā)生變化,則 tOFF 時(shí)間的剩余部分將被忽略,輸出將再次跟隨輸入。
ITRIP 比較器既具有消隱時(shí)間 (tBLK),也具有抗尖峰脈沖時(shí)間 (tDEG)。內(nèi)部消隱時(shí)間有助于在切換輸出時(shí)防止電壓和電流瞬變影響電流調(diào)節(jié)。這些瞬變可能由電機(jī)內(nèi)部或電機(jī)端子連接上的電容器引起。內(nèi)部抗尖峰脈沖時(shí)間可確保瞬變條件不會(huì)過早觸發(fā)電流調(diào)節(jié)。在瞬態(tài)條件超過抗尖峰脈沖時(shí)間的某些情況下,在 IPROPI 引腳上靠近器件之處放置一個(gè) 10nF 電容器,將有助于過濾 IPROPI 輸出上的瞬變,從而不會(huì)過早觸發(fā)電流調(diào)節(jié)。電容值可根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整,但電容值較大可能會(huì)減慢電流調(diào)節(jié)電路的響應(yīng)時(shí)間。
IMODE 引腳決定電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是否執(zhí)行電流調(diào)節(jié)。當(dāng) IMODE 為邏輯低電平 (IMODE = 0) 時(shí),禁用電流調(diào)節(jié)。當(dāng) IMODE 為懸空 (IMODE = Z) 時(shí),如啟用了失速檢測,器件僅在 tINRUSH 期間執(zhí)行電流調(diào)節(jié)。此功能與節(jié) 8.4.3 中所述的硬件失速檢測功能相關(guān)。當(dāng) IMODE 為邏輯高電平 (IMODE = 1) 時(shí),始終啟用電流調(diào)節(jié)。表 8-4 總結(jié)了 IMODE 引腳設(shè)置。
| IMODE | nSTALL | 說明 |
|---|---|---|
低電平 | X | 不執(zhí)行電流調(diào)節(jié) |
| 高阻態(tài) | 低電平 | 始終執(zhí)行電流調(diào)節(jié) |
| 高阻態(tài) | 高電平 | 僅在 tINRUSH 期間執(zhí)行電流調(diào)節(jié) |
高電平 | X | 始終執(zhí)行電流調(diào)節(jié) |