ZHCSML8B June 2021 – August 2021 DRV8212
PRODUCTION DATA
即使發生了硬短路事件，每個 MOSFET 上的模擬電流限制電路也會限制器件輸出的峰值電流。如果輸出電流超過過流閾值 IOCP 且持續時間超過過流抗尖峰時間 tOCP，則會禁用 H 橋中的所有 MOSFET。在 tRETRY 之后，MOSFET 會根據 PH/IN1 和 EN/IN2 引腳的狀態重新啟用。如果過流條件仍然存在，則會重復此周期，否則器件將恢復正常運行。
在半橋控制模式下，OCP 行為略有改動。如果檢測到過流事件，將只禁用相應的半橋。另一個半橋會繼續正常運行。這樣，器件就可以在驅動獨立的負載時管理獨立的故障事件。如果在兩個半橋中都檢測到過流事件，將同時禁用兩個半橋。兩個半橋共用同一個過流重試計時器。如果在 OUT1 中首先發生過流事件，則該輸出將在 tRETRY 期間內禁用。如果 OUT2 在 OUT1 之后但在 tRETRY 到期之前發生過流事件，則兩個 OUTx 引腳將在 tRETRY 的整個持續時間內保持禁用狀態。