DRV8212
- N 溝道 H 橋電機驅動器
- MOSFET 導通電阻：HS + LS 280mΩ
- 可驅動一個雙向有刷直流電機
- 兩個單向有刷直流電機
- 一個單線圈或雙線圈閉鎖繼電器
- 推挽式和雙穩態螺線管
- 其他電阻、電感或 LED 負載
- 1.65V 至 11V 工作電源電壓范圍
- 高輸出電流能力：
- 全橋：4A 峰值
- 半橋：每個輸出 4A 峰值
- 并聯半橋：8A 峰值
- 多個接口可實現靈活性并減少 GPIO
-
標準脈寬調制 (PWM) 接口（IN1/IN2）
- 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
- 超低功耗休眠模式
- 在 VVM = 5V，VVCC = 3.3V，TJ = 25°C 時 <84.5nA
- 定時自動睡眠模式以減少 GPIO
- 保護特性
- 欠壓鎖定（UVLO）
- 過流保護（OCP）
- 熱關斷（TSD）
- 器件系列。請參閱器件比較表了解詳細信息。
DRV8212 是一款集成電機驅動器，具有四個 N 通道功率 FET、電荷泵穩壓器和保護電路。 三倍電荷泵架構可使器件在低至 1.65V 的電壓下工作，以適應 1.8V 電源軌和電池電量不足的情況。電荷泵集成了所有電容器，以減小 PCB 上電機驅動器的整體解決方案尺寸，并實現 100% 占空比運行。
DRV8212 支持多種控制接口模式，包括：PWM（IN1/IN2）、相位/使能（PH/EN）、獨立半橋和并聯半橋。每個接口都支持低功耗睡眠模式，通過關斷大部分內部電路實現超低靜態電流消耗。
該器件能夠提供高達 4A 的峰值輸出電流。該器件由 1.65V 至 5.5V 的電源電壓供電運行。
該驅動器提供強大的內部保護功能，包括電源欠壓鎖定（UVLO）、輸出過流（OCP） 和器件過熱（TSD）。
DRV8212 是一系列器件的一部分，這些器件采用引腳對引腳可擴展 RDS(on) 和電源電壓選項，以支持各種負載和電源軌，且幾乎不需要設計變更。請參閱器件比較表，了解有關該系列器件的信息。訪問 TI.com 查看我們完整的有刷電機驅動器產品系列。
您可能感興趣的相似產品
功能與比較器件相同，且具有相同引腳
技術文檔
未找到結果。請清除搜索并重試。
查看全部 4 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | 具有 PWM、PH/EN 以及半橋控制接口和低功耗睡眠模式的 DRV8212 11V H 橋電機驅動器 數據表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 7月 22日 |
| 技術文章 | Benefits of flip chip on leadframe packaging for motor-drive applications | PDF | HTML | 2022年 4月 29日 | |||
| EVM 用戶指南 | DRV821xEVM and DRV8220EVM User's Guide (Rev. A) | 2020年 12月 17日 | ||||
| 應用手冊 | 所選封裝材料的熱學和電學性質 | 2008年 10月 16日 |
設計和開發
如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。
評估板
DRV8212EVM — DRV8212 具有低功耗睡眠模式的低電壓 H 橋電機驅動器評估模塊
DRV8212 評估模塊 (EVM) 可輕松評估 DRV8212 電機驅動器。
DRV8212 集成了 N 溝道 H 橋、電荷泵穩壓器以及保護電路。該器件支持 PWM (IN1/IN2)、相位/使能 (PH/EN)、獨立半橋和并行半橋控制模式。
EVM 配備了電位器，可用于設置輸入控制引腳（PH/IN1、EN/IN2）的占空比。
用戶指南: PDF
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-5X3 (DRL) | 6 | Ultra Librarian |
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。