ZHCSML7B February 2020 – August 2021 DRV8210
PRODUCTION DATA
該器件的總功耗由三個主要部分組成：靜態電源電流耗散（（PVM 和 PVCC）、功率 MOSFET 開關損耗（PSW）及功率 MOSFET RDS(on）（導通）損耗（PRDS）。雖然其他因素可能會造成額外的功率損耗，但與這三個主要因素相比，其他因素通常并不重要。
可以根據標稱電機電源電壓（VVM）和 IVM 運行模式電流規格來計算 PVM。可以根據標稱邏輯電源電壓（VVCC）和 IVCC 運行模式電流規格來計算 PVCC。當 VVCC < VVM 時，DRV8210 會從 VM 引腳而非 VCC 引腳汲取有效電流。在這種工作條件下，IVCC 通常小于 500nA（請參閱圖 7-5 和圖 7-7）。
可以根據標稱電機電源電壓（VVM）、平均輸出電流（IRMS）、開關頻率（fPWM）以及器件輸出上升（tRISE）和下降（tFALL）時間規格來計算 PSW。
可以根據器件 RDS(on) 和平均輸出電流（IRMS）來計算 PRDS。
RDS(ON) 與器件溫度密切相關。假設器件結溫為 85°C，根據標稱溫度數據，RDS(on) 可增加約 1.5 倍。下面的計算顯示了此降額系數。或者，Topic Link Label7.6 部分顯示了繪制 RDS(on) 隨溫度變化的曲線。
根據上面的示例計算，下面的表達式計算了器件的總預期功耗。
可以使用 PTOT、器件環境溫度（TA）和封裝熱阻（RθJA）來計算驅動器的結溫。RθJA 的值在很大程度上依賴于 PCB 設計以及器件周圍的銅散熱器性能。Topic Link Label9.3.2 更詳細地介紹了這種依賴性。
對于所有系統工作條件，器件結溫應保持在其絕對最大額定值以下。本部分中的計算提供了對結溫的合理估計。然而，其他基于系統運行過程中溫度測量的方法更加現實和可靠。可以在Topic Link Label9.3.2和Topic Link Label12.1.1中找到有關電機驅動器電流額定值和功耗的其他信息。