ZHCSML7B February 2020 – August 2021 DRV8210
PRODUCTION DATA
如果內(nèi)核溫度超過過熱限值 TTSD，將會禁用 H 橋中的所有 MOSFET。當過熱條件消失且裸片溫度降至 VTSD 閾值以下時，將恢復正常運行。