由于 DRV8210 器件集成了能夠驅(qū)動大電流的功率 MOSFET，因此，應(yīng)特別注意布局設(shè)計和外部元件放置。下面提供了一些設(shè)計和布局指南。有關(guān)布局建議的更多信息，請參閱應(yīng)用手冊電機驅(qū)動器電路板布局最佳實踐。
- 低 ESR 陶瓷電容器應(yīng)用于 VM-to-GND 和 VCC到GND 旁路電容器。建議使用 X5R 和 X7R 類型的電容器。
- VM 和 VCC 電源電容器應(yīng)盡可能靠近器件放置，以最大限度減少回路電感。
- VM 電源大容量電容器可以是陶瓷電容器或電解電容器，但也應(yīng)盡可能靠近器件放置，以最大限度減小回路電感。
- VM、OUT1、OUT2 和 GND 承載著從電源傳輸?shù)捷敵?，然后重新傳回到接地的高電流。對于這些跡線，應(yīng)使用厚金屬布線（如果可行）。
- GND 應(yīng)直接連接到 PCB 接地平面上。
- 應(yīng)通過熱過孔將器件散熱焊盤連接到 PCB 頂層接地平面和內(nèi)部接地平面（如果可用），以獲得最強的 PCB 散熱能力。
- 應(yīng)盡可能擴大連接到散熱焊盤的銅平面面積，以確保獲得最佳散熱效果。