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ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

RGZ|48
- MPQF123F

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

RGZ|48
- QFND585

訂購信息

zhcsz01_oa

7.4.3.2.1 智能柵極驅動器

DRV8002-Q1 采用先進的可調節浮動智能柵極驅動器架構，可實現出色的 MOSFET 控制和強大的開關性能。智能柵極驅動器架構提供用于壓擺率控制的驅動器功能，并具有驅動器狀態機，可用于死區時間握手，dV/dt 柵極寄生耦合預防和 MOSFET 柵極故障檢測。

提供高級自適應驅動功能，以降低傳播延遲，減少占空比失真和閉環可編程壓擺時間。高級智能柵極驅動器功能可用于任何橋模式，每次只能用于一個半橋。高級功能不會干擾柵極驅動器的標準運行，并可根據系統要求使用。

以下總結了智能柵極驅動架構的不同功能，并在后續部分提供了更多詳細信息。

智能柵極驅動器核心功能：

注：器件的正常運行無需高級自適應驅動功能和寄存器，它們專為滿足特定的系統要求而設計。

表 7-31 智能柵極驅動器術語說明

核心功能	術語	說明
IDRIVE/TDRIVE	I_DRVP	用于可調 MOSFET 壓擺率控制的可編程柵極驅動拉電流。使用 IDRVP_x 控制寄存器進行配置。
	I_DRVN	用于可調 MOSFET 壓擺率控制的可編程柵極驅動灌電流。使用 IDRVN_x 控制寄存器進行配置。
	I_HOLD	非開關期間的固定柵極驅動器保持上拉電流。
	I_STRONG	非開關期間的固定柵極驅動器強下拉電流。這包括半橋中相反方向的 MOSFET 正在開關或 Hi-Z 時的情況。
	t_DRIVE	I_HOLD 或 I_STRONG 之前的 I_DRVP/N 驅動電流持續時間。還提供 V_GS 和 V_DS 故障監控消隱周期。使用 VGS_TDRV 控制寄存器進行配置。
	t_PD	從邏輯控制信號到柵極驅動器輸出變化的傳播延遲。
	t_DEAD	高側和低側開關轉換之間的體二極管導通周期。使用 VGS_TDEAD 控制寄存器進行配置。
PDR （預充電）	I_{CHR_INIT}	充電控制環路的柵極驅動拉電流初始值。使用 PRE_CHR_INIT 控制寄存器進行配置。
	I_{PRE_CHR}	控制環路鎖定后預充電期間的柵極驅動拉電流。使用 KP_PDR 控制寄存器進行配置的調整率。使用 PRE_MAX 控制寄存器配置的最大電流鉗位。
	t_{PRE_CHR}	柵極驅動拉電流預充電期間持續時間。使用 T_PRE_CHR 控制寄存器進行配置。
	t_DON	從預充電期間開始到 V_SH 上升超過 V_{SH_L} 閾值的延遲時間。使用 T_DON_DOFF 控制寄存器進行配置。
	I_{DCHR_INIT}	放電期間控制環路的柵極驅動灌電流初始值。使用 PRE_DCHR_INIT 控制寄存器進行配置。
	I_{PRE_DCHR}	控制環路鎖定后預放電期間的柵極驅動灌電流。使用 KP_PDR 控制寄存器進行配置的調整率。使用 PRE_MAX 控制寄存器配置的最大電流鉗位。
	t_{PRE_DCHR}	柵極驅動灌電流預放電周期持續時間。使用 T_PRE_DCHR 控制寄存器進行配置。
	t_DOFF	從預放電周期開始到 V_SH 下降超過 V_{SH_H} 閾值的延遲時間。使用 T_DON_DOFF 控制寄存器進行配置。
	V_{SH_L}	V_SH 開關節點的低電壓閾值。使用 AGD_THR 控制寄存器進行配置。
	V_{SH_H}	V_SH 開關節點的高電壓閾值。使用 AGD_THR 控制寄存器進行配置。
PDR （后充電）	I_{PST_CHR}	后充電期間的柵極驅動拉電流。使用 KP_PST 控制寄存器配置調整速率。
	t_{PST_CHR}	柵極驅動拉電流后充電周期持續時間。
	I_{PST_DCHR}	后放電期間的柵極驅動灌電流。使用 KP_PST 控制寄存器配置調整速率。
	t_{PST_DCHR}	柵極驅動拉電流后充電周期持續時間。
	I_{FW_CHR}	續流充電電流。使用 FW_MAX 控制寄存器進行配置。
	I_{FW_DCHR}	續流放電電流。使用 FW_MAX 控制寄存器進行配置。
STC	t_RISE	V_SHx 從 V_{SHx_L} 超過 V_{SHx_H} 閾值的持續時間。使用 T_RISE_FALL 控制寄存器進行配置。
STC	t_FALL	V_SHx 從 V_{SHx_H} 超過 V_{SHx_L} 閾值的持續時間。使用 T_RISE_FALL 控制寄存器進行配置。