ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
使用低 ESR 陶瓷旁路電容器 CPVDD1 將 PVDD 引腳旁路至 GND 引腳。將該電容器放置在盡可能靠近 PVDD 引腳的位置，并通過較寬的引線或通過接地平面連接到 GND 引腳。此外，使用額定電壓為 PVDD 的大容量電容器 CPVDD2 旁路 PVDD 引腳。該元件可以是電解電容器。其容值必須至少為 10μF?？梢越邮茉撾娙菖c外部功率 MOSFET 的大容量電容共享。
在 CPL1/CPH1 和 CPL2/CP2H 引腳之間放置一個(gè)低 ESR 陶瓷電容器 CFLY1 和 CFLY2。此外，在 VCP 和 PVDD 引腳之間放置一個(gè)低 ESR 陶瓷電容器 CVCP。
需要額外的大容量電容來旁路掉 H 橋驅(qū)動器外部功率 MOSFET 上的大電流路徑。放置此大容量電容時(shí)應(yīng)做到盡可能縮短通過外部 MOSFET 的大電流路徑的長度。連接金屬走線盡可能寬，并具有許多連接 PCB 層的過孔。這些做法可更大限度地減少電感并允許大容量電容器提供大電流。
對于 H 橋驅(qū)動器外部 MOSFET，請使用具有適當(dāng)額定電壓的低 ESR 陶瓷旁路電容器將漏極引腳旁路至 GND 平面。將該電容器放置在盡可能靠近 MOSFET 漏極和源極引腳的位置，并通過粗走線或通過平面連接與 GND 平面相連。將串聯(lián)柵極電阻器盡可能靠近 MOSFET 柵極引腳放置。
對于電流分流放大器，為盡可能減小走線阻抗，檢測電阻的放置與功率級的元件一致。為降低耦合到電路板上其他布線的可能性，分流電阻也盡可能放置在靠近 CSA 連接件的位置。
對于高側(cè)電流檢測，分流電阻靠近電源與高側(cè) MOSFET 源極之間的星點(diǎn)。對于低側(cè)電流檢測，分流電阻位于低側(cè) MOSFET 源極與功率級星點(diǎn)接地連接件之間。其余元件放置在離器件最近的位置。
使用差分對來完成感測信號的布線。在一個(gè)差分對中，兩個(gè)信號在布局中緊密耦合，布線必須從分流電阻或感測電阻并聯(lián)到 IC 輸入端的 CSA。
使用 CDVDD 將 DVDD 引腳旁路至 DGND 引腳。將此電容器盡可能靠近引腳放置，并盡量縮短從電容器到 DGND 引腳的路徑。如果這些電源上已經(jīng)存在靠近器件的本地旁路電容器以更大限度地減少噪聲，則無需為 DVDD 使用這些額外元件。
不要將 SL 引腳直接連接到 GND 平面。而是應(yīng)該使用專用跡線將這些引腳連接到低側(cè)外部 MOSFET 的源極。遵循這些建議有助于更準(zhǔn)確地感測外部 MOSFET 的 VDS 以實(shí)現(xiàn)過流檢測。
盡可能地縮短高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器的回路長度。高側(cè)環(huán)路是從器件的 GHx 引腳到高側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著高側(cè) MOSFET 源極返回到 SHx 引腳。低側(cè)環(huán)路是從器件的 GLx 引腳到低側(cè)功率 MOSFET 柵極，然后沿著低側(cè) MOSFET 源極返回到 SL 引腳。