ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
智能柵極驅動架構的 IDRIVE 組件實現了可調節的柵極驅動電流控制,可調整外部 MOSFET VDS 壓擺率。實現此目標的方法是為內部柵極驅動器架構實施可調節的上拉 (IDRVP) 和下拉 (IDRVN) 電流源。
外部 MOSFET VDS 壓擺率是用于優化輻射和傳導發射、二極管反向恢復、dV/dt 柵極寄生耦合以及半橋開關節點上的過壓或欠壓瞬態的關鍵因素。IDRIVE 的工作原理是,VDS 壓擺率主要取決于 MOSFET QGD 或米勒充電區域中提供的柵極電荷(或柵極電流)的速率。通過讓柵極驅動器調節柵極電流,柵極驅動器可以有效地控制外部功率 MOSFET 的壓擺率。
IDRIVE 允許 DRV8002-Q1 通過 IDRVP_x 和 IDRVN_x 位動態更改柵極驅動器電流設置。該器件為拉電流和灌電流提供了介于 0.5 mA 和 62 mA 范圍之間的 16 種設置值,如表 7-32 所示。在 tDRIVE 持續時間內可使用峰值柵極驅動電流。在 MOSFET 進行開關并且 tDRIVE 持續時間結束后,對于上拉的拉電流,柵極驅動器將切換到保持電流 (IHOLD),以便在短路條件下限制輸出電流,并提高驅動器的效率。
如果需要極低的壓擺率控制,IDRV_LOx 位支持進行 16 項設置,電流 <0.5mA。
| IDRVP_x/IDRVN_x | 柵極拉電流/灌電流 | |
|---|---|---|
| IDRV_LOx = 0b | IDRV_LOx = 1b | |
| 0000b | 0.5mA | 50μA |
| 0001b | 1mA | 110μA |
| 0010b | 2mA | 170μA |
| 0011b | 3mA | 230μA |
| 0100b | 4mA | 290μA |
| 0101b | 5mA | 350μA |
| 0110b | 6mA | 410μA |
| 0111b | 7mA | 600μA |
| 1000b | 8mA | 725μA |
| 1001b | 12mA | 850μA |
| 1010b | 16mA | 1mA |
| 1011b | 20mA | 1.2mA |
| 1100b | 24mA | 1.4mA |
| 1101b | 31mA | 1.6mA |
| 1110b | 48mA | 1.8mA |
| 1111b | 62mA | 2.3mA |