ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
外部 MOSFET 的高側柵極驅動電壓是使用三倍器(雙極)電荷泵產生的,而該電荷泵采用 PVDD 電壓電源輸入端運行。該電荷泵使高側和低側柵極驅動器能夠在寬輸入電源電壓范圍內相對于源極電壓適當地偏置外部 N 溝道 MOSFET。電荷泵輸出會進行調節 (VVCP),以相對于 VPVDD 保持固定電壓。電荷泵會受到持續監測以確定是否發生欠壓 (VCP_UV) 事件,從而防止 MOSFET 出現驅動不足或短路情況。
電荷泵提供多個配置選項。默認情況下,在 PVDD 引腳電壓超過 VCP_SO 閾值后,電荷泵可在三倍器(雙級)模式和倍頻器(單級)模式之間自動切換,以降低功率耗散。也可以通過 SPI 寄存器設置 CP_MODE 將電荷泵配置為始終保持三倍器或倍頻器模式。
電荷泵需要在 PVDD 和 VCP 引腳之間放置一個低 ESR、1μF、16V 陶瓷電容器(推薦使用 X7R)作為儲能電容器。此外,還需要在 CP1H 至 CP1L 和 CP2H 至 CP2L 引腳之間放置一個低 ESR、100nF、PVDD 額定的陶瓷電容器(推薦使用 X7R)作為飛跨電容器。
由于電荷泵會被調節至 PVDD 引腳,因此驗證 PVDD 引腳和 MOSFET 電源之間的電壓差被限制為允許在開關操作期間外部 MOSFET 實現適當 VGS 的閾值。