ZHCSZ01 August 2025 DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
傳播延遲降低 (PDR) 控制有兩個主要功能,即預充電傳播延遲降低功能和后充電加速功能。
傳播延遲降低 (PDR) 的主要目標是通過在 MOSFET QGD 米勒區(qū)域之前使用動態(tài)預充電和預放電電流來降低外部 MOSFET 的導通和關斷延遲。這可以使驅動器實現(xiàn)更高和更低的占空比分辨率,同時仍滿足復雜的 EMI 要求。
后充電加速功能使 MOSFET 能夠更快地達到低電阻或關斷狀態(tài),從而通過在 MOSFET QGD 米勒區(qū)域之后增加后充電和放電后柵極電流來更大限度地降低功率損耗。
PDR 充電曲線中顯示了 MOSFET 預充電和后充電電流曲線的示例。如 PDR 放電曲線中所示,對 MOSFET 預放電和后放電重復相同的控制環(huán)路。節(jié) 7.4.3.2.8 中顯示了不同 PWM 和電機情況下完整控制環(huán)路的幾個示例。
圖 7-19 PDR 充電曲線
圖 7-20 PDR 放電曲線