ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)的 IDRIVE 組件實(shí)現(xiàn)了可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)電流控制，可調(diào)整外部 MOSFET VDS 壓擺率。實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)的方法是為內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)實(shí)施可調(diào)節(jié)的上拉 (IDRVP) 和下拉 (IDRVN) 電流源。
外部 MOSFET VDS 壓擺率是用于優(yōu)化輻射和傳導(dǎo)發(fā)射、二極管反向恢復(fù)、dV/dt 柵極寄生耦合以及半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的過壓或欠壓瞬態(tài)的關(guān)鍵因素。IDRIVE 的工作原理是，VDS 壓擺率主要取決于 MOSFET QGD 或米勒充電區(qū)域中提供的柵極電荷（或柵極電流）的速率。通過讓柵極驅(qū)動(dòng)器調(diào)節(jié)柵極電流，柵極驅(qū)動(dòng)器可以有效地控制外部功率 MOSFET 的壓擺率。
IDRIVE 允許 DRV8000-Q1 通過 IDRVP_x 和 IDRVN_x 位動(dòng)態(tài)更改柵極驅(qū)動(dòng)器電流設(shè)置。該器件為拉電流和灌電流提供了介于 0.5 mA 和 62 mA 范圍之間的 16 種設(shè)置值，如表 7-43 所示。在 tDRIVE 持續(xù)時(shí)間內(nèi)可使用峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流。在 MOSFET 進(jìn)行開關(guān)并且 tDRIVE 持續(xù)時(shí)間結(jié)束后，對(duì)于上拉的拉電流，柵極驅(qū)動(dòng)器將切換到保持電流 (IHOLD)，以便在短路條件下限制輸出電流，并提高驅(qū)動(dòng)器的效率。
如果需要極低的壓擺率控制，IDRV_LOx 位支持進(jìn)行 16 項(xiàng)設(shè)置，電流 <0.5mA。
| IDRVP_x/IDRVN_x | 柵極拉電流/灌電流 | |
|---|---|---|
| IDRV_LOx = 0b | IDRV_LOx = 1b | |
| 0000b | 0.5mA | 50μA |
| 0001b | 1mA | 110μA |
| 0010b | 2mA | 170μA |
| 0011b | 3mA | 230μA |
| 0100b | 4mA | 290μA |
| 0101b | 5mA | 350μA |
| 0110b | 6mA | 410μA |
| 0111b | 7mA | 600μA |
| 1000b | 8mA | 725μA |
| 1001b | 12mA | 850μA |
| 1010b | 16mA | 1mA |
| 1011b | 20mA | 1.2mA |
| 1100b | 24mA | 1.4mA |
| 1101b | 31mA | 1.6mA |
| 1110b | 48mA | 1.8mA |
| 1111b | 62mA | 2.3mA |