ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
柵極驅動電流強度 IDRIVE 的選擇依據包括:外部 MOSFET 的柵漏電荷,以及開關節點的目標上升和下降時間。對于給定的 MOSFET,如果選擇的 IDRIVE 過低,則 MOSFET 可能無法在配置的 tDRIVE 時間內完全導通或關斷,并且可以斷定出現柵極故障。此外,較長的上升和下降時間會導致外部功率 MOSFET 中出現更高的開關功率損耗。TI 建議使用所需的外部 MOSFET 和負載在系統中驗證這些值,以確定設計的設置。
高側和低側外部 MOSFET 的 IDRIVEP 和 IDRIVEN 均可在寄存器 GD_IDRV_CNFG 中配置。
對于具有已知柵漏電荷 QGD、所需上升時間 (trise) 和所需下降時間 (tfall) 的 MOSFET,可使用方程式 4 和方程式 5 分別計算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的近似值。
以輸入設計參數為例,我們可以計算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的近似值。
根據這些計算結果,為 IDRIVEP 選擇了值 6 mA。
根據這些計算結果,為 IDRIVEN 選擇了值 16mA。