ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
默認情況下,PDR 環路通過確定流出半橋的電流極性,自動檢測哪個 MOSFET 是驅動 MOSFET、哪個 MOSFET 是續流 MOSFET。這通過測量死區時間期間的半橋 VSHx 電壓來實現,從而確定高側還是低側體二極管導通。如果無法確定電流極性,則會在 GD_STAT 寄存器中標記 IDIR_WARN。自動續流檢測可以通過寄存器 GD_AGD_CNFG 中的 IDIR_MAN 位禁用。在手動續流模式下,PDR 環路依靠寄存器 GD_STC_CNFG 中的 IDIR_MAN_SEL 位來確定哪個 MOSFET 是驅動 MOSFET、哪個 MOSFET 是續流 MOSFET。如果 = 0b,則高側 MOSFET 是驅動 MOSFET,低側 MOSFET 是續流 MOSFET。如果 = 1b、則低側 MOSFET 是驅動 MOSFET,高側 MOSFET 是續流 MOSFET。
HS 驅動 PWM 導通/關斷示例 顯示了控制 VSHx 開關節點電壓轉換的高側 MOSFET (HS1) 和充當續流 MOSFET 的低側 MOSFET (LS1)。
圖 7-26 HS 驅動 PWM 導通/關斷示例LS 驅動 PWM 導通/關斷示例 顯示了控制 VSHx 開關節點電壓轉換的低側 MOSFET (LS2) 和充當續流 MOSFET 的高側 MOSFET (HS2)。
圖 7-27 LS 驅動 PWM 導通/關斷示例