ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
以下是電致變色驅動器的方框圖:
根據系統實施情況,器件的電子鉻驅動器支持如下配置:電子鉻高側充電 MOSFET 的漏極可由高側驅動器 OUT11 供電,也可直接由電源電壓 (PVDD) 供電。EC 控制塊可以獨立于 OUT11 或外部 FET 電源 (PVDD) 運行,無論在哪種配置下,都具有獨立的保護電路。如果需要額外的高側驅動器來驅動另一個負載,這會很有用。該配置中的主要限制是,如果充電 MOSFET 發生短路故障,則無法像將 OUT11 用作 EC 電源一樣切斷與電源的連接。當 EC 直接由 PVDD 供電(OUT11 配置為獨立模式)時,仍可以檢測到短路、過壓和開路負載情況。
OUT11 用于為 EC 供電:該配置在寄存器 HS_OC_CNFG 的 OUT11_EC_MODE 位中設置。默認情況下,OUT11_EC_MODE = 1b,配置為 EC 驅動器的電源,如方框圖 電致變色驅動器方框圖 - 默認配置 所示。在該配置下,寄存器 HS_HEAT_OUT_CNFG 中的 OUT11_CNFG 位被忽略(ON/OFF、SPI/PWM)。在 EC 充電和放電狀態期間,OUT11 和 1.2Ω ECFB 低側放電 MOSFET 均分別激活了過流、過壓和無源開路負載檢測功能。
PVDD 為 EC 供電,OUT11 獨立:要使用 OUT11 作為獨立高側驅動器(獨立于 EC 控制)來驅動單獨的負載,其中 EC 充電 MOSFET 的漏極直接連接到電源電壓,請在寄存器 HS_OC_CNFG 中設置 OUT11_EC_MODE = 0b。
該引腳不用作 EC 時,獨立模式 ITRIP 調節對 OUT11 有效。OUT11 處于 EC 模式時,即使配置了調節模式,也不執行電流調節。
與之前一樣,ECFB 低側放電 MOSFET 保護電路在 EC 放電狀態期間處于激活狀態。下圖顯示了該配置:
要使能 EC 驅動器:將寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的 EC_ON 和 EC_V_TAR 位設置為所需的目標電壓,以使能 EC 驅動器控制環路。這些位置位后,將使能 EC 驅動器控制環路。
對于 EC 元件電壓控制:EC 驅動器一旦使能,驅動器的反饋回路即被激活,并會將 ECFB 引腳電壓調節到寄存器 HS_EC_HEAT_CTRL 中的 EC_V_TAR 位中設置的目標電壓。ECFB 引腳上的目標電壓采用二進制編碼,滿標量程為 1.5V 或 1.2V,具體取決于寄存器 EC_CNFG 中的 ECFB_MAX 位設置為 1 還是 0。ECFB_MAX = 0b 是默認值 (1.2V)。
每當為 EC 電壓設置新值時,一旦控制回路開始調節到新的目標值,ECFB 的 ECFB_HI 或 ECFB_LO 狀態指示就會有 250μs 的消隱時間 tBLK_ECFB。
該器件提供兩種放電模式:快速放電和 PWM 放電。
EC 元件快速放電:要通過快速放電使 EC 元件完全放電,ECFB_LS_PWM 必須設置為 0b。目標輸出電壓 EC_V_TAR 也必須設置為 0b,EC_CNFG 中的 ECFB_LS_EN 和 EC_ON 位必須設置為 1b。當滿足這四個條件時,通過將 ECFB 引腳上的內部 1.2Ω 低側 MOSFET 拉至接地來對引腳 ECFB 上的電壓進行放電。
EC 元件 PWM 放電:以下步驟概述了電子鉻驅動器的 PWM 放電周期:
下圖顯示了電子鉻驅動器的 PWM 放電周期:
電壓控制環路的狀態通過 SPI 報告,TI 建議觀察該報告以確定 EC 充電和放電控制時序。如果引腳 ECFB 上的電壓比目標值高 120mV 以上,則 ECFB_HI 位置位。如果引腳 ECFB 上的電壓比目標值低 120mV,則 ECFB_LO 位置位。如果 ECFB 狀態位 ECFB_HI 和 ECFB_LO 至少在濾波器時間 tFT_ECFB 內保持穩定,則這些位均有效。這些位不會被鎖存,也不會被指定為全局故障。
退出放電模式:要退出放電模式,請將 EC_V_TAR 設置為非零值。對新目標電壓進行編程時,無需更改 ECFB_LS_EN 位,控制環路內部邏輯可防止 OUT11 和 ECFB LS 同時導通。
必須在引腳 ECDRV 上添加一個至少 4.7nF 的電容器,并在 ECFB 和接地端之間添加 220nF 的電容器,以提高控制環路穩定性。出于防噪性能的原因,TI 建議將環路電容器盡可能靠近相應的引腳放置。
如果不使用 EC 驅動器,則將 ECFB 引腳接地。