ZHCUB80C August 2004 – July 2023 PGA309
- 1
- 使用前必讀
- 1引言
- 2詳細說明
- 3工作模式
- 4數(shù)字接口
- 5應(yīng)用背景
-
6寄存器說明
- 6.1 內(nèi)部寄存器概覽
- 6.2
內(nèi)部寄存器映射
- 6.2.1 寄存器 0：溫度 ADC 輸出寄存器（只讀，地址指針 = 00000）
- 6.2.2 寄存器 1：精細失調(diào)電壓調(diào)整（零 DAC）寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00001）
- 6.2.3 寄存器 2：精細增益調(diào)整（增益 DAC）寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00010）
- 6.2.4 寄存器 3：基準控制和線性化寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00011）
- 6.2.5 寄存器 4：PGA 粗略失調(diào)電壓調(diào)整和增益選擇/輸出放大器增益選擇寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00100）
- 6.2.6 寄存器 5：PGA 配置和過量程/欠量程限制寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00101）
- 6.2.7 寄存器 6：溫度 ADC 控制寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00110）
- 6.2.8 寄存器 7：輸出使能計數(shù)器控制寄存器（讀取/寫入，地址指針 = 00111）
- 6.2.9 寄存器 8：警報狀態(tài)寄存器（只讀，地址指針 = 01000）
- A 外部 EEPROM 示例
- B 詳細方框圖
- C 術(shù)語表
- 修訂歷史記錄
2.7.2 通過勵磁串聯(lián)電阻進行外部溫度檢測
一些橋式傳感器應(yīng)用通過電橋電阻的變化來測量橋式傳感器的溫度。實現(xiàn)這一目標的方法是在電橋激勵連接的頂部或底部添加一個串聯(lián)電阻。完成此操作后，必須在應(yīng)用的工作溫度范圍內(nèi)觀察 PGA309 輸入的共模電壓范圍。
圖 2-20 展示了使用頂部串聯(lián)電阻 (RT+) 來監(jiān)測電橋電阻隨溫度變化的情況。為了簡化分析，可將有效電橋電阻轉(zhuǎn)換為一個電阻 (RBT)，如圖所示。對于給定的溫度，RBT 將是固定值；在此示例中，70°C 時為 1.8kΩ。與 RBT 的溫度變化 (3500ppm/°C) 相比，RT 的溫度變化可以忽略不計 (50ppm/°C)，因此使用 RT 來檢測 RBT 的變化。對于此應(yīng)用，溫度 PGA 在正極輸入端配置為 VEXC，在負極輸入端配置為 TEMPIN。溫度 ADC 使用 VEXC 作為其基準 (VREFT)。溫度 PGA 的增益設(shè)置為 8。請注意，由于線性化模塊會調(diào)整 VEXC 以盡可能減少施加壓力時橋式傳感器輸出端的誤差，因此會對 VEXC 的兩個不同值進行分析，以便模擬 VEXC 上不斷變化的電壓。方框中的值顯示的是 VEXC = 2.9V 時的數(shù)值結(jié)果，橢圓形中的值顯示的是 VEXC = 2.4V 時的數(shù)值結(jié)果。不管線性化模塊使用的 VEXC 值是多少，最終的溫度 ADC 讀數(shù)都將是相同的值。
圖 2-21 展示了使用底部串聯(lián)電阻 (RT?) 來監(jiān)測電橋電阻隨溫度變化的情況。同樣，為了簡化分析，可將有效電橋電阻轉(zhuǎn)換為一個電阻 (RBT)，如圖所示。在此示例中，70°C 時 RBT 為 1.8kΩ。RT 用于測量 RBT 的變化。溫度 PGA 在正極輸入端配置為 TEMPIN，在負極輸入端配置為 GND。選擇 VEXC 作為溫度 ADC 基準 (VREFT)。PGA 增益為 8。方框中的值為 VEXC = 2.9V 時的結(jié)果，橢圓形中的值為 VEXC = 2.4V 時的結(jié)果。結(jié)果表明，無論 VEXC 值如何，最終的溫度 ADC 讀數(shù)都相同。
如果應(yīng)用中沒有使用線性化模塊，則橋式傳感器頂部激勵連接到 VSA 或 VREF，而不是 VEXC。在頂部（圖 2-20）或底部（圖 2-21）任何一種情況下，都可以通過添加串聯(lián)電阻 RT 來進行外部溫度檢測。對于特定應(yīng)用，應(yīng)將溫度 ADC 基準 (VREFT) 更改為電橋激勵電壓（VSA 或 VREF）。無論電橋激勵電壓變化如何，都能在給定溫度下產(chǎn)生恒定溫度 ADC 輸出。
圖 2-20 使用頂部串聯(lián)電阻時橋式傳感器的外部溫度檢測
圖 2-21 使用底部串聯(lián)電阻時橋式傳感器的外部溫度檢測