4 結(jié)果

表 4-2 和 表 4-1 中的 x 指示器件開始進(jìn)入熱關(guān)斷。高于該值的電容器可以充滿電，但僅在器件自動重試幾次后才充滿。對于一些用戶來說，某些應(yīng)用中輸出在電容負(fù)載充滿電之前多次打開和關(guān)閉可能效率低下且不及時(shí)。圖 4-1展示了正常運(yùn)行期間的示例波形，其中電容器充電時(shí)不會遇到熱故障。

隨著電流限制降低，可通過開關(guān)充電的電容量會增加。在某些情況下，當(dāng)使用較低的電流限制為大電容器充電時(shí)，發(fā)生熱關(guān)斷但輸出已成功充電，VOUT 曲線看起來更像一個(gè)階躍函數(shù)，如圖 4-2 中所示。在其他情況下，采用更高電流限制時(shí)，無論時(shí)間段長短，輸出電壓都無法充電至 VS，如圖 4-3 中所示。浪涌或負(fù)載電流越高，F(xiàn)ET 上的功率耗散就越多。器件升溫越快，器件就越快達(dá)到熱關(guān)斷閾值。通過將器件配置為較低的電流限制，器件升溫較低且恢復(fù)速度更快，逐步緩慢地為大電容器充電。

請注意由于測量設(shè)備的微小電壓失調(diào)而導(dǎo)致的略微不準(zhǔn)確，這也可能會影響總充電時(shí)間。預(yù)計(jì)與小電容器相比大電容器需要更多的時(shí)間來充電，并且這些電容器在較高溫度下充電時(shí)間更長的。對于這些結(jié)果，一旦輸出電壓達(dá)到約 46-48V，電容器即被視為充滿電。這基于輸出電壓停止增加的情況。在相同的電壓點(diǎn)，電流也可能需要稍長的時(shí)間才能穩(wěn)定在只有電阻負(fù)載消耗電流的負(fù)載電流電平下。這些數(shù)據(jù)表顯示了所測試器件的近似充電時(shí)間，并且可能會因工藝、電壓和溫度 (PVT) 和電路板布局（如果不使用 EVM）而異。此處的關(guān)鍵概念是識別器件在哪個(gè)電容上開始發(fā)生熱故障。

在較高的漏源電壓（如 48V）以及較高的浪涌或負(fù)載電流時(shí)，器件限制電流的點(diǎn)可能高于目標(biāo)限制。這是因?yàn)?FET 上的功率耗散更大。由于流經(jīng)電流 I_LOAD/K_CL（電流鏡機(jī)制）要小得多，因此功率 FET 相對于電流限制傳感 FET 溫度會升得更高。最終，由于互熱，功率 FET 會導(dǎo)致傳感 FET 開始升溫，從而使兩個(gè) FET 的溫度更接近。逐漸地，該器件能夠更好地調(diào)節(jié)電流。這不影響器件的可靠性。