4 結果

表 4-2 和 表 4-1 中的 x 指示器件開始進入熱關斷。高于該值的電容器可以充滿電，但僅在器件自動重試幾次后才充滿。對于一些用戶來說，某些應用中輸出在電容負載充滿電之前多次打開和關閉可能效率低下且不及時。圖 4-1展示了正常運行期間的示例波形，其中電容器充電時不會遇到熱故障。

隨著電流限制降低，可通過開關充電的電容量會增加。在某些情況下，當使用較低的電流限制為大電容器充電時，發生熱關斷但輸出已成功充電，VOUT 曲線看起來更像一個階躍函數，如圖 4-2 中所示。在其他情況下，采用更高電流限制時，無論時間段長短，輸出電壓都無法充電至 VS，如圖 4-3 中所示。浪涌或負載電流越高，FET 上的功率耗散就越多。器件升溫越快，器件就越快達到熱關斷閾值。通過將器件配置為較低的電流限制，器件升溫較低且恢復速度更快，逐步緩慢地為大電容器充電。

請注意由于測量設備的微小電壓失調而導致的略微不準確，這也可能會影響總充電時間。預計與小電容器相比大電容器需要更多的時間來充電，并且這些電容器在較高溫度下充電時間更長的。對于這些結果，一旦輸出電壓達到約 46-48V，電容器即被視為充滿電。這基于輸出電壓停止增加的情況。在相同的電壓點，電流也可能需要稍長的時間才能穩定在只有電阻負載消耗電流的負載電流電平下。這些數據表顯示了所測試器件的近似充電時間，并且可能會因工藝、電壓和溫度 (PVT) 和電路板布局（如果不使用 EVM）而異。此處的關鍵概念是識別器件在哪個電容上開始發生熱故障。

在較高的漏源電壓（如 48V）以及較高的浪涌或負載電流時，器件限制電流的點可能高于目標限制。這是因為 FET 上的功率耗散更大。由于流經電流 I_LOAD/K_CL（電流鏡機制）要小得多，因此功率 FET 相對于電流限制傳感 FET 溫度會升得更高。最終，由于互熱，功率 FET 會導致傳感 FET 開始升溫，從而使兩個 FET 的溫度更接近。逐漸地，該器件能夠更好地調節電流。這不影響器件的可靠性。