4 低電流有源開路負載檢測

DRV89xx-Q1 器件中使用的低電流有源 OLD 專為電機標稱電流小于有源 OLD 的 I_OLD 的負載而設計。圖 4-1 顯示低電流有源 OLD 閾值 (I_{OLD_LOW}) 取代了有源 OLD 中的 I_OLD。在低電流有源 OLD 中，I_{OLD_LOW} 比有源 OLD 的電流 OLD 閾值低約 10 倍。如果 I_{OLD_LOW} 比 I_OLD 低 10 倍，則當利用需要較小標稱電流來觸發 OLD 事件的負載時，允許 OLD 具有更大的靈活性。如果低側 FET 導通，并且在該低側 FET 中流動的電流小于 I_{OLD_LOW} 的時間至少達到 OLD 抗尖峰時間 (t_OLD)，則發生了 OLD 事件。

低電流有源 OLD 必須考慮進行以下權衡：

• 在 DRV89xx-Q1 器件中，此 OLD 僅適用于低側 FET 中流動的電流，這意味著無法使用高側 FET 檢測到它。
• 如果使用低電流有源 OLD，則低側 FET 的過流保護閾值也會降低 11 倍。
• 低側 FET 的 R_DS(ON) 將增加 11 倍，因此必須監測熱性能。然而，鑒于低側 FET 兩端的電流預期較低，預計低側 FET 的熱耗散將受到限制。