ZHCAA86A October 2020 – February 2021 LMG3422R030 , LMG3422R050 , LMG3425R030 , LMG3425R050
功率器件的封裝熱性能與其機械和電氣特性一樣重要，都會對系統效率、可靠性和功率密度產生影響。在散熱要求非常嚴苛的電源應用中，大規模采用熱性能良好的封裝越來越重要。仿真結果表明，對于相同的 50m? 產品，采用 TI 新型 QFN 12x12 封裝后的 RθJC/P 值比采用舊款 QFN 8x8 封裝低 45%。此外，TI 的 50m? GaN 功率級（采用 QFN 12x12 封裝）與競爭對手推出的具有相似導通電阻的 600V 和 650V 分立式器件（采用 TOLL 或 D2PAK 封裝）相比，前者的 RθJC/P 大約低 16%。實驗測試結果與仿真結果相差不到 8%。根據使用 LMG3422R030 器件的半橋設計，提供了一個特定用例。運行功率為 4kW 的同步降壓轉換器在高側器件封裝頂部的實測外殼溫度為 99.3oC。在集成保護功能的條件下執行高速和高頻開關操作時，TI 采用新型 QFN 12x12 封裝的高電壓 GaN 功率級可以從這種寬帶隙半導體中釋放出更多的功率，適合需要減少系統尺寸以及提高功率密度和功效的應用。