12 修訂歷史記錄

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (February 2024)to RevisionC (November 2024)

• 更新了“特性”部分以反映器件特性Go
• 添加了工作結(jié)溫范圍Go
• 將 CMTI 從大于 100V/ns 更改為大于 125V/nsGo
• 將最大 VDD 輸出驅(qū)動電源電壓從 18V 更改為 25VGo
• 將典型傳播延遲從 28ns 更改為 33nsGo
• 刪除了關(guān)于最大延遲匹配的要點Go
• 將最大脈寬失真從 5.5ns 更改為 5nsGo
• 刪除了關(guān)于最小脈沖寬度的要點Go
• 添加了 10μs 最大 VDD 上電延遲Go
• 刪除了關(guān)于隔離柵壽命和浪涌抗擾度的要點Go
• 將認(rèn)證更新為最新標(biāo)準(zhǔn)Go
• 更新了“應(yīng)用”部分Go
• 更新了說明部分以反映器件特性Go
• 將 CMTI 從大于 100V/ns 更改為大于 125V/nsGo
• 刪除了有關(guān)負(fù)電壓處理的句子Go
• 將“功能方框圖”更改為“典型應(yīng)用原理圖”Go
• 更改了 DIS 引腳說明；將 DIS 引腳保持?jǐn)嚅_會禁用器件，并且此引腳被內(nèi)部拉高而不是低電平Go
• 刪除了 DT 引腳建議的電容器大小為 2.2nF 或更高更改了 DT 引腳公式Go
• 添加了 INA 和 INB RC 濾波器建議Go
• 將所有 -0.5V 最小值更改為 -0.3V，以與新發(fā)布的數(shù)據(jù)表保持一致Go
• 將 VDDA-VSSA 和 VDDB-VSSB absmax 從 20V 更改為 30VGo
• 將所有絕對最大值從 +0.5V 電源更改為 +0.3V 電源，以與新發(fā)布的數(shù)據(jù)表保持一致Go
• 將輸入信號干擾電壓從 -2V 更改為 -5V，將測試條件從 200ns 更改為 50nsGo
• 添加了 D 封裝通道間隔離電壓Go
• 將 ESD 規(guī)格從“HBM = ±4000”和“CDM = ±1500”更新為“HBM = ±2000”和“CDM = ±1000”，以便符合 ESD 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Go
• 將 VDDA-VSSA 和 VDDB-VSSB 的建議最大值從 18V 更改為 25VGo
• 刪除了環(huán)境溫度規(guī)格Go
• 將結(jié)溫最大值從 130°C 更改為 150°CGo
• 將 RθJA = 68.5°C/W、RθJC(top) = 30.5°C/W、RθJB = 22.8°C/W、ψJT = 17.1°C/W、ψJB = 22.5°C/W 熱性能值更新至 RθJA = 80.2°C/W、RθJC(top) = 36.6°C/W、RθJB = 45°C/W、ψJT = 28°C/W、ψJB = 44.3°C/WGo
• 將 PD = 1825mW、PDI = 15mW、PDA/PDB = 905mW 更新為 PD = 950mW、PDI = 50mW、PDA/PDB = 450mW更改了測試條件Go
• 將 DIN EN IEC 更新為最新標(biāo)準(zhǔn)，更新了絕緣電壓值Go
• 將勢壘電容從 0.5pF 更改為約 1.2pFGo
• 刪除了安全相關(guān)認(rèn)證部分“認(rèn)證中”Go
• 更改了 IS 測試條件將 IS 值從 75mA (VDDA/B=12V) 更改為 50mA (VDDA/B=15V) 和 30mA (VDDA/B=25V)Go
• 將安全限值從 PS = 15mW/905mW/905mW/1825mW 更新為 PS = 50mW/750mW/750mW/1550mWGo
• 將 IVCCI 靜態(tài)電流規(guī)格典型值從 1.5mA 更新為 1.4mAGo
• 為 IVCC 和 IVDD 添加了更多測試條件Go
• 將 IVCCI 工作電流典型值從 2.5mA 更新為 2.7mA，并添加了最大值 3.2mAGo
• 將 IVDDA/IVDDB 靜態(tài)電流規(guī)格典型值從 1.0mA 更新為 1.2mA，將最大值從 1.8mA 更新為 2.0mAGo
• 將 IVDDA/IVDDB 工作電流典型值從 2.5mA 更新為 2.7mA，并添加了最大值 4.4mA從測試條件中刪除了 CloadGo
• 將 VCCI 上電延遲從“典型值 = 40us”更改為“最小值 = 18us、最大值 = 80us”Go
• 新增了 VCC UVLO 關(guān)斷延遲和抗尖峰脈沖規(guī)格Go
• 將上升閾值最小值 8V、典型值 8.5V、最大值 9V 更新為最小值 7.7V、典型值 8.5V、最大值 8.9VGo
• 將下降閾值最小值 7.5V、典型值 8V、最大值 8.5V 更新為最小值 7.2V、典型值 7.9V、最大值 8.4VGo
• 將 8V UVLO 遲滯典型值從 0.5V 更新為 0.6VGo
• 刪除了 VDD 上電延遲（典型值為 22us）并增加了最大值 10usGo
• 新增了 VDD UVLO 關(guān)斷延遲和抗尖峰脈沖規(guī)格Go
• 將輸入高電平閾值（典型值 = 1.8V、最大值 = 2V）更新為（典型值 = 2V、最大值 = 2.3V）刪除了最小規(guī)格Go
• 刪除了輸入低閾值電壓最大規(guī)格Go
• 將輸入閾值遲滯典型值從 0.8V 更新為 1VGo
• 添加了 INx 引腳下拉電阻規(guī)格Go
• 將峰值電流測試條件更新為 0.22uF 負(fù)載電容更改了峰值輸出源電流方向Go
• 將輸出電阻測試條件從 ±10mA 更新為 ±0.05AGo
• 刪除了高/低電平狀態(tài)下的輸出電壓規(guī)格Go
• 將有源下拉典型值 = 1.75V、最大值 = 2.1V 更新為典型值 = 1.6V、最大值 = 2VGo
• 更新了 DT 引腳規(guī)格，刪除了死區(qū)時間匹配Go
• 將輸出上升時間典型值從 5ns 改為 8ns刪除了最大值Go
• 將輸出下降時間典型值從 6ns 改為 8ns刪除了最大值Go
• 將傳播延遲 TPDHL 和 TPDLH 從典型值 28ns、最大值 40ns 更改為最小值 26ns、典型值 33ns、最大值 45nsGo
• 將最小脈沖寬度從典型值 = 10ns、最大值 = 20ns 更改為最小值 = 4ns、典型值 = 12ns、最大值 = 30nsGo
• 將傳播延遲匹配從 TJ = -40C 至 -10C 時最大值 = 6.5ns 更改為 TJ = -10C 至 150C 時最大值 = 5nsGo
• 將脈寬失真最大值從 5.5ns 更改為 5nsGo
• 將 CMTI 最小值從 100V/ns 更新至 125V/nsGo
• 更新了熱曲線以匹配更新后的特性Go
• 更新了典型特性圖以顯示器件特性Go
• 刪除了參數(shù)測量信息中的最小脈沖Go
• 更改了 DT 公式刪除了建議使用的 2.2nF 或更大的 DT 去耦電容器Go
• 更新了 UVLO 延遲以匹配新規(guī)格Go
• 更新了功能方框圖以反映器件特性Go
• 更改了邏輯表；將 DIS 引腳保持?jǐn)嚅_狀態(tài)可禁用驅(qū)動器Go
• 更新了輸入級部分以匹配新的規(guī)格Go
• 向“輸出級”部分添加了關(guān)于最小脈寬的段落Go
• 更新了 ESD 結(jié)構(gòu)圖以反映器件特性Go
• 更改了死區(qū)時間公式，刪除了關(guān)于 2.2nF 或更大 DT 電容器的建議Go
• 更改了典型應(yīng)用原理圖以刪除 DT 電容器Go
• 更新了應(yīng)用部分以匹配最新的規(guī)格Go
• 添加了“死區(qū)時間設(shè)置指南”部分Go
• 將 VDDA/VDDB 最大值從 18V 更改為 25VGo
• 刪除了建議的 ≥ 2.2nF DT 電容器尺寸Go
• 更新了布局指南Go