ZHCSHS5C February 2018 – November 2024 UCC21222
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
通過在 DT 引腳和 GND 之間放置一個(gè)電阻器 RDT 來對 tDT 編程。可以確定合適的 RDT 值,其中 RDT 以 k? 為單位,tDT 以 ns 為單位:
當(dāng) RDT 在 1.7k? 至 100k? 之間時(shí),上述公式成立。不建議使用值大于 100k? 的 RDT。
一個(gè)輸入信號(hào)下降沿會(huì)激活另一個(gè)信號(hào)的已編程死區(qū)時(shí)間。輸出信號(hào)死區(qū)時(shí)間始終設(shè)置為驅(qū)動(dòng)器編程的死區(qū)時(shí)間或輸入信號(hào)自己死區(qū)時(shí)間中的較長值。如果兩個(gè)輸入同時(shí)都處于高電平,則兩個(gè)輸出都將立即被設(shè)為低電平。此特性用于防止擊穿,并且它并不影響正常運(yùn)行所需的已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。圖 7-4 顯示并說明了各種驅(qū)動(dòng)器死區(qū)時(shí)間邏輯工作條件:
圖 7-4 各種輸入信號(hào)條件下輸入與輸出邏輯之間的關(guān)系條件 A:INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 變?yōu)楦唠娖健NB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后,OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 B:INB 變?yōu)楦唠娖剑琁NA 變?yōu)榈碗娖健NA 現(xiàn)在立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后,OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 C:INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 仍為低電平。INB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。在這種情況下,輸入信號(hào)的自身 死區(qū)時(shí)間長于已編程死區(qū)時(shí)間。因此,當(dāng) INA 變?yōu)楦唠娖綍r(shí),INB 立即將 OUTA 設(shè)為高電平。
條件 D:INA 變?yōu)榈碗娖剑琁NB 仍為低電平。INA 立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。INB 的自身 死區(qū)時(shí)間長于已編程死區(qū)時(shí)間。因此,當(dāng) INB 變?yōu)楦唠娖綍r(shí),INB 立即將 OUTB 設(shè)為高電平。
條件 E:INA 變?yōu)楦唠娖剑?INB 和 OUTB 仍為高電平。為了避免過沖,INA 立即將 OUTB 拉至低電平并使 OUTA 保持低電平狀態(tài)。一段時(shí)間后,OUTB 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。OUTB 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后,OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 F:INB 變?yōu)楦唠娖剑?INA 和 OUTA 仍為高電平。為了避免過沖,INB 立即將 OUTA 拉至低電平并使 OUTB 保持低電平狀態(tài)。一段時(shí)間后,OUTA 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。OUTA 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后,OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>