4 引腳配置和功能

圖 4-1 D 封裝16 引腳 SOIC頂視圖

表 4-1 引腳功能

引腳		類型⁽¹⁾	說明
名稱	編號	類型⁽¹⁾	說明
DIS	5	I	設置為高電平時會同時禁用兩個驅動器輸出，而設置為低電平時則會啟用兩個輸出。為了實現更好的抗噪性能，如果不使用該引腳，則建議將其接地。如果保持懸空，則該引腳在內部被拉高。建議在連接到微控制器時在 DIS 引腳上使用 RC 濾波器以過濾高頻噪聲，R = 0Ω 至 100Ω，C = 100pF 至 1000pF。
DT	6	I	DT 引腳配置： DT 引腳懸空或對 VCCI 短路會禁用死區時間互鎖功能（允許輸出重疊）在 DT 和 GND 之間放置 1.7kΩ 至 100kΩ 電阻器 (RDT)，以設置驅動器輸出之間的最短死區時間放置 0Ω 至 150Ω 電阻器，或將 DT 引腳短接至 GND 以使兩個輸出互鎖 TI 不建議使用 >1nF 的陶瓷電容器繞過該引腳。
GND	4	G	初級側地基準。初級側的所有信號都以該地為基準。
INA	1	I	A 通道的輸入信號。INA 輸入具有兼容 TTL/CMOS 的輸入閾值。該引腳在保持開路時在內部被拉至低電平。建議在 INA 上使用 RC 濾波器以過濾高頻噪聲，R = 10Ω 至 100Ω，C = 10pF 至 100pF。
INB	2	I	B 通道的輸入信號。INB 輸入具有兼容 TTL/CMOS 的輸入閾值。該引腳在保持開路時在內部被拉至低電平。建議在 INB 上使用 RC 濾波器以過濾高頻噪聲，R = 10Ω 至 100Ω，C = 10pF 至 100pF。
NC	7	–	無內部連接。
NC	12	–	無內部連接。
NC	13	–	無內部連接。
OUTA	15	O	驅動器 A 的輸出。通過柵極電阻器連接到 A 通道晶體管的柵極。
OUTB	10	O	驅動器 B 的輸出。通過柵極電阻器連接到 B 通道晶體管的柵極。
VCCI	3	P	初級側電源電壓。使用盡可能靠近器件的低 ESR/ESL 電容器在本地進行去耦（連接至 GND）。
VCCI	8	P	初級側電源電壓。此引腳在內部短接至引腳 3。
VDDA	16	P	驅動器 A 的次級側電源。使用盡可能靠近器件的低 ESR/ESL 電容器在本地進行去耦（連接至 VSSA）。
VDDB	11	P	驅動器 B 的次級側電源。使用盡可能靠近器件的低 ESR/ESL 電容器在本地進行去耦（連接至 VSSB）。
VSSA	14	G	次級側 A 通道的接地基準。
VSSB	9	G	次級側 B 通道的接地基準。

(1) P = 電源，G = 地，I = 輸入，O = 輸出