用戶必須密切關(guān)注 PCB 布局,以實(shí)現(xiàn) UCC21222 的出色性能。下面是一些要點(diǎn)。
元件放置:
- 必須在 VCCI 和 GND 引腳之間以及 VDD 和 VSS 引腳之間靠近器件的位置連接低 ESR 和低 ESL 電容器,以在外部功率晶體管導(dǎo)通時(shí)支持高峰值電流。
- 為了避免開關(guān)節(jié)點(diǎn) VSSA (HS) 引腳上產(chǎn)生較大的負(fù)瞬態(tài),必須盡可能減小頂部晶體管源極和底部晶體管源極之間的寄生電感。
- 建議將死區(qū)時(shí)間設(shè)置電阻 RDT 及其旁路電容器靠近 UCC21222 的 DT 引腳放置。
- 建議在連接到遠(yuǎn)距離 μC 時(shí),在靠近 DIS 引腳處放置約 1nF 的低 ESR/ESL 電容器 CDIS 進(jìn)行旁路。
接地注意事項(xiàng):
- 務(wù)必要將對(duì)晶體管柵極充電和放電的高峰值電流限制在最小的物理環(huán)路區(qū)域內(nèi)。這樣將會(huì)降低環(huán)路電感,并更大限度地減少晶體管柵極端子上的噪聲。柵極驅(qū)動(dòng)器必須盡可能靠近晶體管放置。
- 注意高電流路徑,其中包含自舉電容器、自舉二極管、局部接地參考旁路電容器和低側(cè)晶體管體二極管/反并聯(lián)二極管。自舉電容器由 VDD 旁路電容器通過(guò)自舉二極管逐周期進(jìn)行重新充電。這種重新充電行為發(fā)生在較短的時(shí)間間隔內(nèi),需要高峰值電流。盡可能地減小印刷電路板上的環(huán)路長(zhǎng)度和面積對(duì)于確保可靠運(yùn)行至關(guān)重要。
高電壓注意事項(xiàng):
- 為確保初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)之間的隔離性能,請(qǐng)避免在驅(qū)動(dòng)器器件下方放置任何 PCB 布線或銅。建議使用 PCB 切口,以防止可能影響 UCC21222 隔離性能的污染。
- 對(duì)于半橋或高側(cè)/低側(cè)配置(其中通道 A 和通道 B 驅(qū)動(dòng)器可在高達(dá) 1500VDC 的直流鏈路電壓下運(yùn)行),應(yīng)嘗試增加高側(cè)和低側(cè) PCB 布線之間 PCB 布局的爬電距離。
散熱注意事項(xiàng):
- 如果驅(qū)動(dòng)電壓較高,負(fù)載較重或開關(guān)頻率較高,那么 UCC21222 可能會(huì)損耗大量功率(更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱節(jié) 8.2.2.5)。適當(dāng)?shù)?PCB 布局有助于將器件產(chǎn)生的熱量散發(fā)到 PCB,并更大限度地降低結(jié)到電路板的熱阻抗 (θJB)。
- 建議增加連接到 VDDA、VDDB、VSSA 和 VSSB 引腳的 PCB 覆銅,并優(yōu)先考慮最大限度地增加到 VSSA 和 VSSB 的連接(請(qǐng)參閱圖 10-2 和圖 10-3)。不過(guò),必須考慮前面提及的高電壓 PCB 注意事項(xiàng)。
- 如果系統(tǒng)有多個(gè)層,則還建議通過(guò)大小適當(dāng)?shù)耐讓?VDDA、VDDB、VSSA 和 VSSB 引腳連接到內(nèi)部接地平面或電源平面。不過(guò),請(qǐng)記住,不應(yīng)重疊來(lái)自不同高電壓平面的布線/銅。