ZHCSVG8A October 2024 – June 2025 TPSI31P1-Q1
PRODUCTION DATA
為了幫助確保實現可靠的電源電壓,TI 建議 VDDP 和 VSSP 之間的 CVDDP 電容由一個用于高頻去耦的 0.1μF 旁路電容器與一個用于低頻去耦的 1μF 旁路電容器并聯組成。必須在 VDDP 和 VSSP 引腳之間靠近器件的位置連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器。