ZHCSVG8A October 2024 – June 2025 TPSI31P1-Q1
PRODUCTION DATA
圖 7-1 中顯示的簡化電路圖是使用 TPSI31P1-Q1 的典型有源預充電應用。TPSI31P1-Q1 與駐留在 TPSI31P1-Q1 初級側的微控制器相連。外部功率電感器 L1 以及功率二極管 D1 和功率 FET M1 構成降壓轉換器拓撲。M2 是可選功率 FET,可實現反向阻斷。M2 在預充電期間靜態啟用。分流電阻器 RSHUNT 用于通過在 IS+上形成相對于 VSSS 的電壓來監測 L1 中的電流。
向 VDDP 和 CE 施加的電源為高電平時,通過將 EN 置為高電平來開始預充電周期。如果 IS+ 低于 VREF-,則 TPSI31P1-Q1 將 VDRV 置為高電平以啟用 M1,M1 開始在 L1 中存儲能量。一旦 L1 中的電流達到設置的峰值電平(當 IS+ 達到 VREF+ 時會發生這種情況),VDRV 被置為低電平以禁用 M1。此時,L1 中存儲的能量釋放到電容 CLINK 中。隨著電感器電流減小,IS+ 上的電壓降至 VREF-,并再次啟用 M1。此過程在整個預充電周期中持續進行。
在 EN 狀態為高電平時,TPSI31P1-Q1 會在預充電完成時使 VDRV 保持被置為高電平。