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TPSI31P1-Q1

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具有 17V 隔離式柵極驅動器和輔助電源的汽車級有源預充電控制器

產品詳情

FET External Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Automotive Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Gate drive voltage (V) 17 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1200
FET External Number of channels 1 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 5.5 Rating Automotive Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Gate drive voltage (V) 17 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1200
SO-MOD (DVX) 16 60.255 mm2 5.85 x 10.3
  • 使用開關轉換器架構替代大型高功率預充電電阻器
  • 與無源預充電解決方案相比,提高了熱性能
  • 遲滯電流控制用于對下游電容進行線性充電
  • 驅動 Si、SiC MOSFET 或 IGBT 等外部功率晶體管
  • 適用于柵極偏置的集成隔離式次級電源
  • 17V 柵極驅動,1.5A 和 2.5A 峰值拉電流和灌電流
  • 符合面向汽車應用的 AEC Q-100 標準:
    • 溫度等級 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 功能安全型
  • 安全相關認證
    • 計劃:符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 7070VPK 增強型隔離
    • 計劃:符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 5kVRMS 隔離
  • 使用開關轉換器架構替代大型高功率預充電電阻器
  • 與無源預充電解決方案相比,提高了熱性能
  • 遲滯電流控制用于對下游電容進行線性充電
  • 驅動 Si、SiC MOSFET 或 IGBT 等外部功率晶體管
  • 適用于柵極偏置的集成隔離式次級電源
  • 17V 柵極驅動,1.5A 和 2.5A 峰值拉電流和灌電流
  • 符合面向汽車應用的 AEC Q-100 標準:
    • 溫度等級 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 功能安全型
  • 安全相關認證
    • 計劃:符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 7070VPK 增強型隔離
    • 計劃:符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 5kVRMS 隔離

TPSI31P1-Q1 旨在用于汽車級預充電系統,作為傳統無源預充電架構的替代方案,該架構通常包含昂貴的機電繼電器 (EMR) 以及龐大的大功率電阻器。TPSI31P1-Q1 與外部電源開關、功率電感器和二極管相結合,形成了有源預充電解決方案。TPSI31P1-Q1 在遲滯運行模式下持續監測和控制電感電流,以對下游系統的大電容進行線性充電。TPSI31P1-Q1 是一款隔離式開關驅動器,可通過初級側接收到的電源自行產生次級輔助電源,因此無需隔離式次級電源。當柵極驅動電壓為 17V,峰值拉電流和灌電流為 1.5A 和 2.5A 時,可以使用大量電源開關,包括 SiC FET 和 IGBT。

TPSI31P1-Q1 集成一個通信反向通道,該反向通道可通過開漏輸出、PGOOD(電源正常狀態)將狀態信息從次級側傳輸到初級側,并且指示次級電源何時有效。

TPSI31P1-Q1 增強型隔離非常穩健,與光耦合器相比,其可靠性更高、功耗更低,且溫度范圍更寬。將 EMR 和功率電阻器替換為固態解決方案可降低成本并減小尺寸,同時提高可靠性。

TPSI31P1-Q1 旨在用于汽車級預充電系統,作為傳統無源預充電架構的替代方案,該架構通常包含昂貴的機電繼電器 (EMR) 以及龐大的大功率電阻器。TPSI31P1-Q1 與外部電源開關、功率電感器和二極管相結合,形成了有源預充電解決方案。TPSI31P1-Q1 在遲滯運行模式下持續監測和控制電感電流,以對下游系統的大電容進行線性充電。TPSI31P1-Q1 是一款隔離式開關驅動器,可通過初級側接收到的電源自行產生次級輔助電源,因此無需隔離式次級電源。當柵極驅動電壓為 17V,峰值拉電流和灌電流為 1.5A 和 2.5A 時,可以使用大量電源開關,包括 SiC FET 和 IGBT。

TPSI31P1-Q1 集成一個通信反向通道,該反向通道可通過開漏輸出、PGOOD(電源正常狀態)將狀態信息從次級側傳輸到初級側,并且指示次級電源何時有效。

TPSI31P1-Q1 增強型隔離非常穩健,與光耦合器相比,其可靠性更高、功耗更低,且溫度范圍更寬。將 EMR 和功率電阻器替換為固態解決方案可降低成本并減小尺寸,同時提高可靠性。

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應用手冊 汽車系統中的直流母線電容器預充電設計 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 11月 12日
EVM 用戶指南 TPSI31Px-Q1 評估模塊 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2025年 6月 30日
功能安全信息 TPSI31P1-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD, and Pin FMA (Rev. A) PDF | HTML 2025年 6月 13日
證書 TPSI31PXQ1EVM-400 EU Declaration of Conformity (DoC) 2024年 11月 14日

設計和開發

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評估板

TPSI31PXQ1EVM — TPSI31Px-Q1 評估模塊

TPSI31Px-Q1 評估模塊 (EVM) 可幫助設計人員評估 TPSI31P1-Q1 在為直流鏈路電容器充電的電動汽車 (EV) 或混合動力電動汽車 (HEV) 高側有源預充電應用中的運行情況和性能。

  • TPSI31PXQ1EVM:800VDC、10AAVG
  • TPSI31PXQ1EVM-400:400VDC、4.5AAVG
用戶指南: PDF | HTML
英語版 (Rev.B): PDF | HTML
仿真模型

TPSI31P1-Q1 PSpice Transient Model (Rev. B)

SLVMEE3B.ZIP (58 KB) - PSpice Model
計算工具

TPSI31P1-CALC Helps calculate/simulate active precharge behavior using TPSI31P1 device as primary driver.

Helps calculate/simulate active precharge behavior using TPSI31P1 device as primary driver based on user input, outputting various graphs to estimate circuit behavior, aiding in design.
支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
固態繼電器
TPSI31P1-Q1 具有 17V 隔離式柵極驅動器和輔助電源的汽車級有源預充電控制器
硬件開發
評估板
TPSI31PXQ1EVM TPSI31Px-Q1 評估模塊
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用,包括業內超大的模型庫之一,涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫,您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案,然后再進行布局和制造,可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

在?PSpice for TI 設計和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SO-MOD (DVX) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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