4 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2020)to RevisionC (September 2024)
- 更新了整個文檔中的表格、圖和交叉參考的編號格式Go
- 在 -55oC 至 125oC 的環境條件下對電氣特性進行了測試,將先前對 TJ 的引用更新為 TA
Go
- 更改了 VTTSNS 測試條件以顯示 -5mA 測試條件并更新了限制;添加了 5mA 和 -1A 至 1A 下的 VTTSNS 測試條件和限制Go
- 將規格名稱 VLDOIN-VTT/VO 澄清為 VDO,刪除了注釋 1Go
- 在整個溫度范圍內實現了 VDO (VLDOIN-VTT/VO) 的生產測試覆蓋范圍;對于以前附加了注釋 2 的測試條件,刪除了注釋 2Go
- 更新了 IVOSCRL 限制以及 IVOSRCL 和 IVOSNCL 的測試條件Go
- 在整個溫度范圍內實現了 RDSCHRG 的生產測試覆蓋范圍Go
- 闡明了 VTH(PG) 的測試條件Go
- 從“電氣特性”表中刪除了 VDDQSNS 電壓范圍,因為“建議運行條件”表中包含該電壓范圍Go
- 將 VVTTREF 名稱更新為 VVTTREF(load_reg) 并添加了新的精度規格 VVTTREFaccuracy
Go
- 闡明了 IVTTREFSRCL 和 I VTTREFSNCCL 的測試條件Go
- 在整個溫度范圍內對 VVINUVVIN 進行了測試Go
- 在整個溫度范圍內對 IENLEAK 進行了測試Go
- 刪除了 TSON 的注釋,注釋對于典型規格是多余的Go
- 修訂了對 100kΩ 上拉電阻器的引用Go
- 更新了 VDD/VIN 和 VLDOIN 的功率耗散計算Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (June 2016)to RevisionB (June 2020)
- 更改了 DLA 圖編號Go
- 更改了輻射性能特性摘要Go
- 更改了支持的 DDR 終端應用的特性說明Go
- 更改了 VTTREF 精度特性Go
- 更改了支持的 DDR 應用的說明Go
- 向“器件信息”表中添加了封裝重量Go
- 通篇更改了引腳名稱引用,以保持一致性Go
- 添加了其他熱指標Go
- 向電氣特性 表中添加了 TJ 溫度范圍說明Go
- 更改了 VTT/VO 的模糊容差規格,明確指定了最小值/最大值范圍Go
- 將 UVLO 閾值遲滯更改為其自己的表條目Go
- 更改了 VTTREF 圖的命名以保持一致性Go
- 向電容器說明中添加了陶瓷以滿足穩定性要求Go
- 為輸出電流限值添加了正確的交叉參考Go
- 更改了措辭,以使 VIN/VDD 更加清晰Go
- 更改了注釋以反映總 ESRGo
- JEDEC 規格參考Go
- 更改為改進的瞬態圖和說明Go
- 對于布局散熱過孔尺寸,添加了“或更小”Go
- 更改為改進的建議布局圖Go