在開始 TPS7H3301-SP 布局設計之前，請考慮以下幾點。
- VLDOIN 的輸入旁路電容器應盡可能靠近引腳放置，并具有短而寬的連接。
- VTT/VO 的輸出電容器應靠近引腳放置，并具有短而寬的連接，從而避免額外的 ESR 和/或 ESL 引線電感。
- VTTSNS 應連接到 VTT/VO 輸出電容器的正節點，作為與高電流電源線分離的布線。強烈建議使用此配置，以避免額外的 ESR 和/或 ESL。如果需要檢測負載點的電壓，建議在該點連接一個或多個輸出電容器。此外，建議盡量減少 GND 引腳和輸出電容器之間接地引線的任何額外 ESR 和/或 ESL。
- 如果 VTT/VO 輸出電容器的 ESR 大于 2mΩ，請考慮在 VTTSNS 處添加低通濾波器。
- VDDQSNS 可與 VLDOIN 分開連接。請記住，該檢測電勢是 VTTREF 的基準電壓。避免任何產生噪聲的線路。
- VTT/VO 輸出電容器的負節點和 VTTREF 電容器應連接在一起，避免出現連接到 VTT/VO 灌電流和拉電流的高電流路徑的公共阻抗。
- GND 和 PGND 引腳應連接到芯片焊盤下方的導熱焊盤，并通過多個過孔連接到內部系統接地平面（為了獲得更好的結果，至少使用兩個內部接地平面）。使用盡可能多的過孔來減小 PGND/GND 與系統接地平面之間的阻抗。此外，將大容量電容器放置在靠近 DIMM/模塊或存儲器負載點的位置并將 VTTSNS 路由至 DIMM/模塊負載檢測點。
- 為了有效地去除封裝中的熱量，請適當地準備導熱焊盤。將焊料直接涂在封裝的散熱焊盤上。元件的寬布線和連接到導熱焊盤的側覆銅有助于散熱。還應使用連接在導熱焊盤與內部/焊接面接地平面之間的多個直徑為 0.33mm 或更小的過孔，以幫助散熱。